Пороговое напряжение.

Положительный потенциал затвора индуцирует в полупроводник большой удельный заряд, если велика удельная емкость между металлом затвора и полупроводником, следовательно удельную емкость затвора полупроводника определяет степень модуляции проводимости канала, т.е. управляющую способность затвора. Эта величина емкости является важным параметром затвора. Аналитически:

С целью увеличения удельной емкости стремятся уменьшит толщину подзатворного диэлектрика t, что ограничило его пробоем t=0,1…0,15 мкМ.

В исходном состоянии в подзатворном диэлектрике присутствует равновесный заряд, приводящий к изгибу энергетических зон в области вывода их на поверхности полупроводника.

В исходном состоянии подзать. Диэлектрик пороговое напряжение нужно разделить на две составляющие

это напряжение которое надо приложить к затвору для ликвидации исходного искривления энергетических зон(б).

Характер этого изменения описывается равенством:

контактная разность потенциала между металлом затвора и диэлектриком.

- равновесный идеальный заряд поверхности

напряжение которое необходимо приложить затвору для изгиба зон в сторону образования проводящего канала

Значение можно определить из равенства:

a- параметр характеризующий влияние объемного заряда подложки, определяющейся технологии изготовления МДП структуры.

Из рисунка в следует, для уменьшения , а следует и нужно уменьшить уровень легирования п-подложки. С уменьшением концентрации акцепторов в подложке а расстояние между уровнями и будет уменьшаться так же и напряжение , которое следует приложить для образования инверсного проводящего канала.