Возрастание 
связано с эффектом Эрли, который заключается в модуляции толщины базы 
и сопротивления 
, под которым понимают омическое сопротивление полупроводника в базовой области транзистора при изменении коллекторного напряжения. (см. рис.)
– распределение носителей заряда инжектированных в базу из эмиттера.
Нетрудно увидеть, что эффект Эрли есть постоянно действующий в момент прохождения электромагнитного сигнала. Однако при изменении статических характеристик транзистора он является паразитным эффектом, т. к. может существенным образом изменить характеристики p-n перехода. Поэтому при измерении статистических характеристик используют режимы холостого хода и короткого замыкания. Именно поэтому фиксируют значение напряжения 
в схеме с общей базой или ток эмиттера. Именно поэтому отличаются характеристики p-n перехода база-эмиттер при замкнутых или разомкнутых электродах база-коллектор.
