Статические характеристики.

Определяются соотношением между напряжениями и токами транзистора. Они характеризуют максимальные параметры прибора и материалов, которые в принципе можно достичь.

Статические характеристики игнорируют переходные процессы, поэтому их снимают, когда эти процессы проходят, т.е. в статическом режиме.

Разделяют стат. Характеристики:

-с общей базой

-ОЭ-ОК

Статические характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ.

В схеме ОБ- управляющий ток- ток эмиттера. Выходные(коллекторные) характеристики выражаются в виде зависимости:

Входные( эмиттерные) характеристики определяются:

Семейство выходных характеристик транзистора с ОБ:

I- область нормального активного режима

II- область насыщения

III- область лавинного пробоя

- потоки электронов инжектируемых из эмиттера.

- потоки электронов инжектируемых из коллектора.

Реальные характеристики – пунктиром, сплошной – построенные по модели Эверса–Мола.

На выходных характеристиках видны три режима работы транзистора:

-активный, используется в схемах усиления

-насыщения, в импульсно- ключевых схемах.

-лавинного пробоя, в схемах лавинных транзисторов, которые не получают широко распространения из за недостатка работы.

Если инжекция из эмиттера отсутствует, то зависимость : обычная ВАХ p-n перехода. Отличие- на рассматриваемом рисунке обратная ветвь находится в первом квадрате, прямая в третьем.

В результате инжекции из эмиттера( в К возникает поток электронов . этого равенство пропорционально потоку инжектированных из Эмиттера электронов. (a-г)

При подаче коллектор прямого напряжения последний сам будет инжектировать встречному потомку электронов.(д-ж)

Результирующий поток падает до нуля, с увеличением прямого напряжения на коллекторе.(д-е) И при дальнейшем увеличении приобретает обратное направление(ж).

В активном режиме коллектор напр. Не оказывает влияния на выходные характеристики схемы с ОБ. С ростом обратного коллекторного напряжения в активном режиме будет слабо расти за счет роста обратного коллекторного тока и коэффициента передачи эмиттерного тока .