Контакты и явления в них.

Существуют следующие типы соединений:

· Ме – ПП

· ПП – ПП с разными степенями легирования

· П – ПП с разными проводимостями

· ПП – с разными мигр запрещённой зоны

· ПП – ПП гетеропереходные

· Контакты с разными типами проводимости p-n переходов

Электрофизические свойства p-n переходов.

Возникает при контакте двух полупроводников с разной проводимостью. При контакте возникает механическая граница сопротивлений, разделяющая n и p области. Это создаёт градиент иону n в n-области по отношению к p. Тепловое движение стремится к уменьшению концентрации свободных зарядов путем столкновения их друг с другом и значительно большого отталкивания за счёт большого градиента/ Электроны из n области уходят в p область, оставляя нескомпенсированный положительный ион. Дырки переходят их p в n область, оставляя нескомпенсированный отрицательный ион. Это продолжаетс пока не образуется заряд с потенциалом. При достижении потенциалом критического значения избыток электронов начнёт отражаться в n области, избыток дырок – в p области. То есть при образовании p-n перехода действуетдва механизма:

1) Диффузионное перемещение из n-области под действием градиента концентрации электронов – теплого перемещения.

2) Перемещение свободных электронов под действием электрического поля в область пространственного заряда.

То есть в результате возникает 4 тока:

1) Диффузионный ток из n в p область

2) Диффузионный ток дырок из из p в n область(формирует прямую ветвь ВАХ)

3) Дрейфовый ток электронов

4) Дрейфовый ток дырок

Сумма токов в кристалле равна нулю, так как они равны и противоположено направлены.

С точки зрения конструкции все p-n переходы делятся на:

- симметричные
- несимметричные
- резкие
- плавные

Симметричный p-n переход.

, n=p

Концентрации ионов будут иметь следующие концентрации:

Так как пространства, занимаемые положительными и отрицательными зарядами равны, то электрическая граница (n=p) совпадает с механической границей R. Эту способность имеет симметричный p-n переход.