русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Обратное включение


Дата добавления: 2015-08-14; просмотров: 465; Нарушение авторских прав


При прямом включении показания не изменилось, поскольку сопротивление вольтметров на несколько порядков больше сопротивления диодов в открытом состоянии, поэтому через них протекает незначительный ток.

При обратном включении сопротивления приборов меньше сопротивлений диодов, поэтому приборы фиксируют падение напряжения на внутреннем сопротивлении, образу тем самым схему с несбалансированным мостом Уитсона.

При токе насыщения:

Ток насыщения на распределении напряжений практически не сказывается.

Электрический пробой:

Поскольку разные диоды имеют разные напряжения пробоя, в этом режиме они их поддерживают, и не изменяются при изменении питания, поэтому видно распределение в 100 и 440В выше которого не поднимется .

Параллельное соединение:

При прямом и обратном включении токи разделяются в соответствии с сопротивлениями диодов.

В режиме пробоя ток при изменении питающего напряжения изменяется в соответствии с параметрами диода, напряжение при этом поддерживается постоянным.

В режиме насыщения токи распределяются в зависимости от обратного тока диода.


 

Контрольные ответы:

1) Распределение напряжений и токов зависит от характеристик полупроводникового прибора, таких как сопротивление, обратный ток насыщения, напряжения пробоя, напряжения открытия диода. Также свои погрешности вносят и сопротивления приборов. Поскольку температура влияет на сопротивление диода, то соответственно и напряжения и токи будут меняться, в соответствии чувствительностью диода.

2) Для выравнивания напряжений на диодах необходимо их параллельно шунтировать большим сопротивлением.

3) При пробое напряжения не изменяются, при этом изменяется ток в зависимости от напряжения источника. Эти параметры зависят от максимального обратного напряжения, толщины перехода, структуры материала.





<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Соединение полупроводников приборов | Класс. Пропедевтика.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Полезен материал? Поделись:

Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.002 сек.