Обратное включение

При прямом включении показания не изменилось, поскольку сопротивление вольтметров на несколько порядков больше сопротивления диодов в открытом состоянии, поэтому через них протекает незначительный ток.

При обратном включении сопротивления приборов меньше сопротивлений диодов, поэтому приборы фиксируют падение напряжения на внутреннем сопротивлении, образу тем самым схему с несбалансированным мостом Уитсона.

При токе насыщения:

Ток насыщения на распределении напряжений практически не сказывается.

Электрический пробой:

Поскольку разные диоды имеют разные напряжения пробоя, в этом режиме они их поддерживают, и не изменяются при изменении питания, поэтому видно распределение в 100 и 440В выше которого не поднимется .

Параллельное соединение:

При прямом и обратном включении токи разделяются в соответствии с сопротивлениями диодов.

В режиме пробоя ток при изменении питающего напряжения изменяется в соответствии с параметрами диода, напряжение при этом поддерживается постоянным.

В режиме насыщения токи распределяются в зависимости от обратного тока диода.

Контрольные ответы:

1) Распределение напряжений и токов зависит от характеристик полупроводникового прибора, таких как сопротивление, обратный ток насыщения, напряжения пробоя, напряжения открытия диода. Также свои погрешности вносят и сопротивления приборов. Поскольку температура влияет на сопротивление диода, то соответственно и напряжения и токи будут меняться, в соответствии чувствительностью диода.

2) Для выравнивания напряжений на диодах необходимо их параллельно шунтировать большим сопротивлением.

3) При пробое напряжения не изменяются, при этом изменяется ток в зависимости от напряжения источника. Эти параметры зависят от максимального обратного напряжения, толщины перехода, структуры материала.