МДП-транзистор с индуцированным (инверсным) каналом

Конструкция. От транзистора со встроенным каналом он отличается тем, что канал проводимости здесь специально не создается, а возникает (индуцируется) только при подаче на затвор напряжения определенной полярности (рисунок 45). При отсутствии этого напряжения канала нет, между истоком и стоком n⁺-типа только кристалл p-типа, и на одном из p – n⁺-переходов получается обратное напряжение.

Принцип работы. Сопротивление между истоком и стоком велико, транзистор заперт. Но если подать на затвор в данном случае положительное напряжение, то под влиянием поля затвора электроны проводимости будут перемещаться из областей стока, истока и кристалла к затвору. Когда U_З-И превысит некоторое отпирающее или пороговое напряжение, то в приповерхностном слое концентрация электронов настолько увеличится, что превысит концентрацию дырок, произойдет инверсия типа электропроводности, т. е. образуется канал n-типа и транзистор начнет проводить ток.

Чем больше положительное напряжение U_З-И, тем больше проводимость канала и ток стока, т. е. такой транзистор может работать только в режиме обогащения, что показывают его выходные и переходная характеристики (рисунок 46).

Рисунок 46 – Выходная и стоково-затворная характеристики

МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа

МДП-транзисторы имеют лучшие температурные, шумовые, радиационные свойства по сравнению с полевыми транзисторами с управляющим p – n-переходом, кроме того, они просты в изготовлении.