Построение отдельных модулей МПС

· Модуль центрального процессора;

· Модуль памяти;

· Модуль ввода-вывода;

· Модуль прерывания.

Модули строятся по типовым схемам с применением БИС, которые входят в МП комплекты (МПК КР580 − центральный МП КР580ВМ85А).

Модуль процессора: играет главную роль в системе, основная задача − формирование системной шины. Ядро модуля − МП. Существует 3 причины по которым МП ВМ80А не может быть ядром МПС:

1. Для работы МП необходимо 2 последовательности тактовых импульсов с амплитудой около 12 В.
2. МП имеет малую нагрузочную способность выводов: I⁰_вых ≤ 2 мА, I¹_вых ≤ 50 мкА.

Нагрузочная способность выводов МП позволяет работать только на одну ТТЛ нагрузку. Необходимо усилить выводы МП по току. Для этого ставят буферные элементы (или усилители). Для шин такие усилители называются шинными формирователями.

1. В МП ВМ80А недостаточно сигналов управления. Необходимые сигналы управления формируются из СС МП с помощью логических схем.

Реализовывать модуль процессора можно на разных БИС различными методами.

КР580ВМ85А − МП;

КР580ГФ24 − БИС системного генератора;

КР580ВА86 − БИС 2-направленного 8-разрядного шинного формирователя (высокая нагрузочная способность I⁰_вых ≤ 32 мА);

КР580ВК28(ВК38) − БИС системного контроллера, обеспечивающего формирование 2-напрвленой 8-разрядной ШД и формирование сигналов управления:

1. чтение и запоминание в памяти;
2. ввод и вывод в порты;
3. подтверждение прерывания.

Используя эти МС можно реализовать модуль процессора на 5 МС (см. рис. ниже). Диод служит для быстрого разряда конденсатора при скачках питания.

− разрешение шины (при прямом доступе к памяти);

TF − буфер направления (TF = 1, то А → В; TF = 0, то А ← В).

R1 ≈ 10 КОм, С1 ≈ 10 мкФ, t_НУ > 1/f_Т

Модуль памяти: память МП делят на внутреннюю (резидентную) и внешнюю.

Внутренняя память − обычно на полупроводниковых МС. Внешняя память − магнитная или оптическая.

По выполняемым функциям внутреннюю память делят на постоянную (ПЗУ) и оперативную (ОЗУ).

ПЗУ − память только для чтения, энергонезависима. ОЗУ − для чтения и записи, энергозависима.

Модуль памяти делят на 2:

· модуль ПЗУ;

· модуль ОЗУ.

Модуль ПЗУ (ROM):

1. Масочное ПЗУ − программируется на заводе-изготовителе, достоинство − дешевизна.

2. Программируемое ПЗУ (ППЗУ) − однократно программируемое, процесс записи называется прожиганием. Достоинство − невысокая стоимость. Недостаток − однократность программирования.

3. Репрограммируемое ПЗУ (РПЗУ) − стираемое ПЗУ: с УФ стиранием и с электрическим стиранием.