| Saturation current [IS],A
| обратный ток диода, по умолчанию 
|
| Ohmic resistance [RS], Om
| объемное сопротивление (от десятков до десятых долей Ом)
|
| Zero-bias junction capacitance [CJO], Ф
| барьерная емкость p-n перехода при нулевом напряжении (от единиц до десятков пФ)
|
| Junction potential [VJ], В
| контактная разность потенциалов (0,75 В)
|
| Transit time [TT], В
| время переноса заряда
|
| Grading coefficient [M]
| конструктивный параметр p-n перехода (в большинстве случаев 0,333)
|
| Reverse Breakdown Voltage, [BV]B
| напряжение пробоя
|
| Emission coefficient [N]
| коэффициент инжекции
|
| Activation Energy [EG]
| ширина запрещённой зоны, эВ
|
| Temperature exponent for effect on IS [XT]
| температурный коэффициент тока насыщения
|
| Flicker noise coefficient [KF]
| козффициент фликкер-шума
|
| Flicker noise exponent [AF]
| показатель степени в формуле для фликкер-
шума
|
| Coefficient to forward-bias depletion capacitance formula [FC]
| коэффициент нелинейной барьерной ёмкости прямо смещённого перехода
|
| Current at reverse breakdown voltage [IBV] ,A
| начальный ток пробоя при напряжении BV
|
| Parameter measurement temperature [TNOM], ˚C
| температура диода
|
