русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Знакомство с моделирующей программой Electronics Work Bench.


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 1335; Нарушение авторских прав


ХАРАКТЕРИСТИКИ и параметры ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

 

Методические указания

к практической работе по курсу

“Физические основы электроники”

 

Для студентов заочной формы обучения

 

 

Екатеринбург 2009


ББК

УДК 621. 382

 

Составители: доц., канд. техн. наук, В.И.Паутов,

доц., канд. техн. наук, В.В.Муханов

Рецензент: доц., канд. техн. наук, В.А.Матвиенко

 

Характеристики и параметры полупроводниковых диодов: Методические указания к практической работе / В.И.Паутов, В.В.Муханов. Екатеринбург: УрТИСИ СибГУТИ, 2005.12 с.

 

Работа включает методические указания к практической работе по дисциплине “Физические основы электроники” и предназначена для студентов заочной формы обучения специальностей 200900 – "Сети связи и системы коммутации", 201000 – "Многоканальные телекоммуникационные системы" и 071700 – "Физика и техника оптической связи".

 

Библиогр.: 4 назв. Рис.3. Табл. 3. Прилож. 2.

 

Кафедра общепрофессиональных

дисциплин технических

специальностей

 

® УрТИСИ СибГУТИ, 2009

 

Список литературы

1. Прянишников В.А. Теоретические основы электротехники. Курс лекций. СПб.: КОРОНА принт, 2000,-368с.

2. Кардашев Г.А. Цифровая электроника на персональном компьютере. М.: Горячая линия- Телеком, 2003.-311 с.

3. Глазенко Т.А., Прянишников В.А. Электротехника и основы электроники. М.: Высшая школа. 1-е изд. –1985, 2-е изд. –1996.- 340 с.

4. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. М.: Солон-Р, 2001. – 726 с.

 

Приложение 1. Выбор типа диода согласно варианту

Таблица П1

Вариант Тип диода - выпрямительный Тип диода - стабилитрон
  General 1 Philips 1
D1N4245GP BZV49-C7V5
D1N4383GP BZV49-C8V2
D1N4585GP BZV49-С9V1
D1N4933GP BZV55-С5V6
D1N4944GP BZV55-C4V3
D1N5059GP BZV55-C4V7
D1N5061GP BZV55-C6V2
D1N5392GP BZV55-C6V8
D1N5615GP BZV55-C7V5
D1N5621GP BZV55-C8V2

 



Приложение 2.

В процессе вычислений параметров может понадобиться калькулятор. Для его вызова существует следующая процедура: "Пуск" – "Программы" – "Стандартные" – "Калькулятор".

Построение графиков с последующим их сглаживанием возможно в программе Microsoft Excel.

 

Таблица 3

Диод tºC UпрMAX (В) Rпр (Ом) rД (Ом)
       
       

 

Таблица 4

Стабилитрон tºC UпрMAX (В) Rпр (Ом) rД.пр. (Ом) Uст (В) rД (Ом) Rст (Ом)
             
             

 

Контрольные вопросы

3.1. Объяснить, почему вольтметр и амперметр в схемах включены по-разному.

3.2. Почему у диода Rпр заметно отличается от rД , а у стабилитрона Rст также отличается от rД .

3.3. Почему изменение температуры влияет на сопротивления rД, Rст, Rпр.

3.4. Что такое пробой диода.

3.5. Почему на прямой ветви ВАХ диода при малых напряжениях ток возрастает медленно, а затем очень быстро.

 

 

 

Пояснительная записка

Практическая работа по дисциплине “Физические основы электроники” направлена на получение практических навыков проведения эксперимента и обработки результатов.

Данные методические указания позволяют студентам самостоятельно подготовиться к учебным занятиям.

Практическая работа состоит из трех частей.

1. Знакомство с моделирующей программой Electronics Work Bench.

2. Экспериментальное получение вольтамперных характеристик диодов в виртуальной среде.

3. Расчет параметров полупроводниковых диодов.

Практическая работа должна оформляться согласно общим требованиям:

– титульный лист;

– схемы и графики должны быть выполнены согласно ГОСТу и требованиям ЕСКД;

– расчетные формулы записываются полностью, вносятся данные и представляется окончательный результат;

– должны быть выводы по проделанной работе.

 

 

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА

1. Цель практической работы

Знакомство с моделирующей программой Electronics Work Bench.

Вызвать пакет моделирования электронных схем Electronics Workbench EWB. Обычно этикетка находится на рабочем столе компьютера "Wewb 32" с большой красной точкой.

Для создания схемы следует последовательно выбирать ее элементы и размещать их на наборном поле. Пассивные компоненты выделяются щелчком левой клавишей мыши по кнопке , открывающей окно пассивных компонент. Компонент выбирается курсором мыши и перемещается на поле чертежа при нажатой левой клавише мыши. При необходимости вращение и отражение элементов схемы выполняется кнопками .

Обязателен компонент «общая шина» , который выбирается из группы Sources (кнопка ). Осциллограф выбирают из группы инструментов . Измерительные приборы - амперметр и вольтметр - находятся в меню за красной цифрой 8.

После расстановки элементов на поле чертежа выполняется их соединение в соответствии со схемой. Для этого курсор мыши подводится к выводу элемента и, после появления индикатора захвата (черный кружок у вывода), нажимается левая клавиша мыши и курсор перемещается ко второму из соединяемых выводов или фрагменту ранее проведенной цепи, после появления черного ответного кружка отпускается клавиша мыши. Возможна коррекция положения фрагментов цепей. Для этого необходимо подвести курсор к фрагменту и нажать левую клавишу мыши. Появившиеся стрелки показывают допустимые направления смещения фрагмента. Если расстояние между элементами слишком мало, то модель не может сделать соединение. Поэтому расстояние должно быть не менее сантиметра по экрану.

Цепи возможно выделить цветом. Например, для входной цепи выбрать красный цвет, выходной – синий.

 

 

мА Iпр

500 600С 270С ∆Iпр Δt Построить характеристи- ческий прямоугольный

* треугольник на линейной части ВАХ так, чтобы

его вершины совпали с

данными таблицы.

+ + Uпр

0.2 0.4 0.6 0.8 B

∆Uпр ∆Uпр

Рис.3.Примерный вид прямой ветви ВАХ диодов

мА Iст

2000 - 270C 870С

Δt

∆Iст ΔUст

 


∆Uст

+ + Uст

4.241 4.242 4.243 4.244 B

Рис.4.Примерный вид обратной ветви стабилитрона

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Понятие о презентации и слайдах | Расчет параметров полупроводниковых диодов


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.624 сек.