Обозначение на схемах
Устройство
Схематически диод можно представить как две пластинки полупроводника, одна из которых обладает электропроводностью типа p, а другая – типа n. На рис. 1, а, дырки, преобладающие в пластинке типа p условно изображены кружками, а электроны, преобладающие в пластинке типа n, - черными шариками таких же размеров. Эти две области – два электрода диода: анод и катод. Анодом, т.е. положительным электродом, является область типа p, а катодом, т.е. отрицательным электродом, - область типа n. На внешние поверхности пластин нанесены контактные металлические слои, к которым припаяны проволочные выводы электродов диода.
Рис. 1. Схематическое устройство и работа полупроводникового диода
При контакте двух полупроводников n- и p-типов начинается диффузия: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область. В результате в n-области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой. В p-области уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой. Таким образом, на границе полупроводников образуется двойной электрический слой, электрическое поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу. Этот слой называют запирающим (рис. 2.).
Рис. 2. Образование запирающего слоя при контакте полупроводников p- и n-типов
