СОДЕРЖАНИЕ

Введение……………………………………………………………….... .3

1. Электропроводность полупроводников………………………….......4

1.1. Собственная электронная и дырочная электропровод-

ность. Ток дрейфа…………………………………………………...4

1.2. Примесная электропроводность……………………………....10

1.3. Диффузия носителей заряда в полупроводниках………….…12

2. Электронно-дырочные и металлопроводниковые переходы…......14

2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешне-

го напряжения……………………………………………………..14

2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении...18

2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряже-

нии…………………………………………………………………..21

2.4. Переход металл – полупроводник……………………………23

3. Полупроводниковые диоды…………………………………………24

3.1. Вольтамперная характеристика………………………….......24

3.2. Емкость………………………………………………………...27

3.3. Температурные свойства……………………………………..30

3.4. Применение полупроводниковых диодов для выпрямле-

ния переменного тока……………………………………………..31

3.5. Импульсный ток……………………………………………...34

3.6. Основные типы………………………..……………………...36

4. Биполярные транзисторы…………………...………………………42

4.1. Общие сведения………………………………………………42

4.2. Физические процессы…………………...…………………...44

4.3. Усиление с помощью транзистора………………………….49

4.4. Основные схемы включения………………………………...51

4.5. Схемы питания и стабилизация режима…………………....56

4.6. Транзистор в усилительных каскадах и в генераторе…….62

5. Характеристики и параметры биполярных транзисторов………..63

5.1. Характеристики……………………………………...……….63

5.2. Параметры и эквивалентные схемы………………………...70

5.3. Собственные шумы транзисторов и диодов………………..79

5.4. Основные типы биполярных транзисторов………………...82

6. Полевые транзисторы……………………………………………....90

6.1. Полевые транзисторы с управляющим переходом………...90

6.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором……….. 99

7. Специальные полупроводниковые приборы……………..……...104

7.1. Тиристоры…………………………………………………...104

7.2. Туннельные диоды………………………………………….111

Список рекомендуемой литературы………………………………...117