Большая группа веществ с электронной электропроводностью, удельное сопротивление которых при нормальной температуре лежит между удельными сопротивлениями проводников и диэлектриков, называются
полупроводниками. Электропроводность полупроводников в сильной степени зависит от различных примесей, иногда в ничтожных количествах присутствующих в теле собственного полупроводника. Управляемость
электропроводностью полупроводников температурой, светом, электрическим полем, механическими усилиями положена соответственно в основу принципа действия терморезисторов, фоторезисторов, нелинейных резисторов, тензорезисторов и т.д. Наличие у полупроводников двух типов электропроводности - "электронной" (п) и "электронно - дырочной " (р) позволяет получить полупроводниковые изделия с р-п - переходом. На использовании возможностей р-п - переходов основаны важнейшие применения
полупроводников в электронике. Использующиеся в практике полупроводниковые материалы могут быть подразделены на простые полупроводники, полупроводниковые химические соединения и полупроводниковые комплексы. Важнейшим полупроводниковым материалом является кремний. Кремний относится к ковалентным кристаллам, и имеет кубическую решётку типа алмаза. Кремний получают чаще всего восстановлением парами цинка четырёххлористого кремния (81С]4), при температуре порядка 1000°С в защитной атмосфере.
В твердом теле образуются целые энергетические зоны (заполненные и незаполненные). Заполненные зоны называются валентными. Свободная (незаполненная) зона называется зоной проводимости. Между заполненными и свободными зонами находятся запрещенные зоны.
Относительным расположением зон обусловлено деление материалов на классы по электропроводности.
В полупроводниках между этими зонами существует запрещенная зона, что ограничивает количество носителей заряда, способных обеспечивать ток.