Полупроводниковой инжекционный лазер непрерывного режима работы

Полупроводниковой инжекционный лазер непрерывного режима работы предназначен для использования в качестве источника оптического излу­чения в системах слежения: и передачи информации, а также в измери­тельных устройствах.

Конструктивно прибор выполнен в виде блока излучателя, внешний вид которого показан на рисунке и источника питания.

В качестве источника питания может быть использован любой источник электрическо­го тока со следующими ха­рактеристиками:

- ток накачки не более 0,5 А

- напряжение до 5 В

- выходное сопротив­ление 10 Ом

- коэффициент пульса­ций тока ± 0,5 %

Полупроводниковой лазер непрерывного режима работы

Если выходное сопротивление источника значительно превышает 10 Ом, то необходимо использовать согласующие электрические узлы (трансфор­матор, эмиттерный повторитель и т.п.) между источником и полупроводни­ковым излучателем. Собственно излучатель представляет собой корпус, в котором закреплен полупроводниковый диод с p-n переходом. Корпус является положительным вводом напряжения источника накачки и должен быть закреплен на теплоотводящее основание, обеспечивающее термостабилизацию полупроводникового лазера. Выходные характеристики излучения полу­проводникового лазера значительно зависят от температуры окружающей среда. В случае невозможности термостабилизации излучателя необходимо управлять рабочим током в соот­ветствии с изменением температуры в пределах от -60°C до +55°С.

Излучающий p-n переход толщиной около 1 мкм расположен параллель­но нижнему основанию корпуса и поэтому диаграмма направленности вытя­нута вдоль вертикальной плоскости.

Технические данные прибора ИЛПН-102:

Примечание: Не допускается подача на прибор тока обратной полярности.