русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Диффузионная длина


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 1478; Нарушение авторских прав


В мезоскопических системах (с характерным размером L) электроны могут двигаться либо по привычному диффузионно­му механизму ((от латинского diffusio - распространение, растекание, рассеивание), движение частиц среды, приводящее к переносу вещества и выравниванию концентраций или установлению их равновесного распределения.), либо баллистически. Баллистическим механизмом переноса носителей заряда называют движение в системах, где определённая выше средняя длина свободного пробега значительно больше характерного размера структуры L, в результате чего движение происходит фактически без рассеяния и основным фактором рассеяния выступают поверхности самой структуры. В транзисторах с горячими электронами (см. раз­дел 9.5) перенос электронов происходит именно по баллисти­ческому механизму, в результате чего они и могут приобретать энергию, значительно превышающую ту, которая соответствует тепловой энергии решётки. В обратном случае (т. е. когда << L) движение электронов в системе описывается коэффициентом диффузии D, который связан с так называемой диффузионной длиной Le соотношением

Le = (Dτe)1/2 , где τe — время релаксации. В теории полупроводников поня­тие диффузионной длины используется очень широко и часто. Например, при диффузии электронов в полупроводнике p-типа их концентрация экспоненциально уменьшается с расстояни­ем, причём коэффициентом затухания в экспоненте выступает именно параметр Le.

При диффузионном режиме перенос электронов в мезоскопических системах обычно описывается уравнением Больцмана, т. е. так же, как и в случае объёмных систем. Для баллистического механизма уравнение Больцмана, естественно, неприменимо, поскольку движение электронов через структуру происходит практически без столкновений.

 

 

ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ
(горячие дырки), подвижные носители заряда в тв. проводнике, энергетич. распределение к-рых заметно отличается (в сторону больших энергий) от равновесного распределения, определяемого Ферми — Дирака статистикой или Больцмана статистикой. Носители заряда становятся «горячими» при протекании электрич. тока через проводник под действием достаточно сильного электрич. поля.



При протекании тока электрич. поле ускоряет большее число носителей, а тормозит меньшее, и тем самым сообщает электронному газу дополнит. энергию.

 

Разогрев носителей с ростом поля приводит к изменению электропроводности ПП и отклонению его вольт-амперной хар-ки от закона Ома. Эфф. подвижность носителей тока изменяется, т. к. время рассеяния импульса, как правило, зависит от энергии носителя, к-рая в ср. растёт с ростом электрич. поля. Кроме того, Г. э., приобретая достаточно большую энергию, могут переходить в более высокие зоны проводимости, в к-рых их подвижность значительно отличается (обычно в меньшую сторону) от подвижности в ниж. зонах. Изменяется и концентрация носителей либо из-за ударной генерации электронно-дырочных пар или ударной ионизации примесей, либо из-за изменения скорости рекомбинации горячих носителей или скорости захвата их примесными центрами. Обычно захват носителей происходит ионами примеси, знак заряда к-рых противоположен знаку заряда носителей. При этом скорость захвата уменьшается с разогревом, и концентрация носителей и электропроводность ПП растут. Однако иногда примесные центры заряжены одноимённо с носителями заряда и на больших расстояниях отталкивают их по закону Кулона. Тогда носитель, чтобы оказаться захваченным, должен преодолеть потенциальный барьер, вследствие чего скорость захвата растёт (время жизни уменьшается) с увеличением энергии. В результате концентрация носителей и электропроводность уменьшаются с ростом электрич. поля.

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Средний свободный пробег электрона | Длина экранирования


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 1.383 сек.