русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Ход работы


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 493; Нарушение авторских прав


  1. Включить установку тумблером «сеть»;
  2. Установить тумблер на отметку «1»
  3. Плавно вращая ручку регулировки напряжения на образце снять вольт-амперную характеристику туннельного диода.
  4. Ручку регулировки напряжения установить в крайнее левое положение и снимать показания напряжения и силы тока. Напряжение изменять, начиная от 0 через 20мВ, до максимального значения тока, затем напряжение изменятся скачком. Для того чтобы точнее определить Iv необходимо ручку регулировки напряжения установить в крайнее правое положение, и теперь уменьшая напряжение снимать силу тока через тот же интервал, что и при увеличении.
  5. По полученным данным построить вольт-амперную характеристику туннельного диода.
  6. Используя формулы (3) и (4) и полученные значения величин Uр и Uv,оцениваем положение уровня Ферми μn и максимума nmax(E) распределения электронов в зоне проводимости полупроводника туннельного диода.
  7. Сравнить полученные значения с приведенными в теории.
  8. Сделать выводы.

 

Контрольные вопросы

1. Что такое туннельный диод?

2. На каком явлении основано действие туннельного диода?

3. Как расположен уровень Ферми в туннельном диоде?

4. Объясните вольт-амперную характеристику туннельного диода.

5. Объясните процесс туннелирования в диоде.

Рекомендуемая литература

  1. Гольдин Л.Л., Новикова Г.И. Введение в квантовую физику. - M.: Наука, 1986. Гл. XII, §§ 66-69.
  2. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. - М: Наука, 1977. Гл. VII, § 3.
  3. Игошин Ф.Ф., Самарский Ю.А., Ципенюк Ю.М. Лабораторный практикум о общей физике. Том 3. Квантовая физика. - М.: Издательство МФТИ, 1998.


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Результаты эксперимента | Содержание работы


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.739 сек.