В эксперименте изучалась вольтамперная характеристика туннельного диода и генератор на основе туннельного диода. В качестве исследуемого диода был использован германиевый туннельный диод ГИ304А.
Получение статической характеристики туннельного диода.
Вольтамперная характеристика туннельного диода была получена статическим методом при помощи схемы, изображенной на рис. 4. Полученная характеристика показана на рис. 5.
Рис. 5. Вольтамперная характеристика туннельного диода, полученная статистическим методом
Из графика (рис. 5) определяем параметры вольтамперной характеристики Up, I р, Uv, Iv и Uf туннельного диода: Up=0,041B, I р=4,7mA, Uv =0,35B, Iv=0,35mA и Uf=0,51B.
Хотелось бы обратить внимание на тот факт, что получить падающую ветвь вольтамперной характеристики в явном виде не удается. Отчасти это можно объяснить отсутствием в экспериментальной установке источника напряжения с бесконечно малым внутренним сопротивлением. Создание такого идеализированного источника не представляется возможным.
Уровень Ферми μn расположен на расстоянии ξ≈0,7эВ от края зоны проводимости Ес в полупроводнике n-типа.
Удаление максимума плотности распределения электронов в зоне проводимости полупроводника n-типа nmax(E) от края зоны составляет 0,68 эВ.
