Определение низкочастотных h- параметров по характеристикам транзистора.

При работе транзисторов на низких частотах влиянием реактивностей можно пренебречь. В этом случае параметры транзистора являются чисто активными и обозначаются соответственно или h. Все комплексные величины, входящие в уравнение четырехполюсников, можно заменить на конечные приращения. Тогда уравнение четырехполюсника, например, в системе h примут следующий вид:

(4.14)

Численные значения этих параметров можно определить по статическим характеристикам транзистора теми же методами, что и для электронных ламп.

В качестве примера рассмотрим методику определения h-параметров транзистора, включенного по схеме с ОЭ. Рис.4.20.

а) б)

Рис.4.20.

Пусть режим задан рабочей точкой А ( ) и характеристикой транзистора. Параметры входной цепи и определяются по входным характеристикам (Рис.4.20а), для чего в рабочей точке строится характеристический треугольник АВС.

При постоянном напряжении задаем приращение напряжения на эмиттере

и определяем соответствующее ему приращение тока базы

.

Тогда входное сопротивление транзистора

Затем, при постоянном токе базы находим приращение коллекторного напряжения и определяем соответствующее ему приращение напряжения базы .

Тогда коэффициент обратной связи по напряжению

.

Параметры выходной цепи и можно определить по выходным характеристикам (Рис.4.20б).

Для определения выходной проводимости в рабочей точке А строится характеристический треугольник, для чего при постоянном токе базы задаем приращение коллекторного напряжения и находим получающееся при этом приращение тока коллектора . Тогда - выходная проводимость, См.

Затем при постоянном напряжении на коллекторе проводим через рабочую точку А линию, параллельную оси тока до пересечения с двумя соседними характеристиками и определяем приращение тока базы ., и соответствующее ему приращение тока коллектора . Тогда коэффициент передачи тока базы

.

Аналогично определяем параметры для других схем включения транзистора.