Система H-параметров.

Уравнение четырехполюсника для H-параметров имеют вид.

(4.13)

Для определения H-параметров необходимо поочередно осуществить режимы холостого хода по переменному току на входе и короткому замыканию на выходе, описанными выше способами.

При режиме короткого замыкания на выходе получим:

- входное сопротивление транзистора

-коэффициент передачи тока.

Для схемы с общей базой (ОБ) , а для схемы с общим эмиттером (ОЭ)- .

При режиме холостого хода на входе получим:

- коэффициент обратной связи по напряжению;

- выходная проводимость транзистора.

Эквивалентная схема замещения транзистора- четырехполюсника для H-параметров изображена на Рис.4.19

Рис.4.19

Генератор напряжения , включенный на входе схемы, характеризует глубину паразитной обратной связи по напряжению. Генератор тока , включенный в выходной цепи схемы, отражает усилительные свойства транзистора по току.

Поскольку H-параметры имеют различную размерность (сопротивление, проводимость, или являются безразмерными величинами), то их называют гибридными или смешанными.

Основным достоинством системы H-параметров является то, что они легко измеряются экспериментально, поскольку осуществление режимов холостого хода на входе транзистора затруднений не вызывают на низких частотах. Поэтому в справочниках обычно приводятся низкочастотные h- параметры.

Общим недостатком дифференциальных Z. Y и H- параметров являются зависимость их от схемы включения. Например, параметры для схемы с ОБ , и для схемы с ОЭ . Не равны друг другу и все остальные однотипные параметры транзистора в различных схемах включения.