русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Теоретичні відомості.


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 617; Нарушение авторских прав


Лабораторна робота № 9

Тема:Дослідження напівпровідникового діода.

Мета роботи:Зняти дослідним шляхом вольт-амперну характеристику германієвого або кремнієвого діода, а також вивчити цоколівки напівпровідникових діодів.

Прилади та обладнання

1.міліамперметр постійного струму 50 мА.

2. вольтметр постійного струму ЗУ.

3. досліджуємі діоди Д 104А, КД 209А.

Теоретичні відомості.

Напівпровідниковим діодом називається прилад, який складається з двох структур р та п і призначений для випрямлення змінного струму.

Напівпровідник структури п дістають додаючи в основний елемент (кремній або германій) невелику кількість домішки (п'ятивалентний елемент миш'як або сурму, що дає змогу зробити велику кількість вільних електронів, щоб дістати недостачу електронів і дірок.), у напівпровідники додають домішки індію або галію, спричинює збільшенню кількості дірок і зменшення кількості електронів. Таким часом в одному напівпровіднику вдається створити дві області з різною електропровідністю та п).

На межі між двома структурами різної електропровідності утворюється електронно-дірковий перехід замикаючій або запірний, що має однобічну провідність. Якщо до напівпровідника прикладати зовнішню напругу (рис 1) так, щоб негативний полюс джерела живлення GВ був приєднаний до структури п, а позитивний до структури р, то основні носії заряду (електрони зі структури п, а дірки зі структури р) переміщуватимуться до запірного шару і переходитимуть через нього. При цьому запірний шар зменшується і через нього проходить великий прямий струм Іпр (рис. 2)

Якщо поміняти місцями полюси джерела живлення (рис. 3), то основні носії заряду будуть відтягуватися від запірного шару і він ростиме. Його опір збільшується, а зворотний струм Iв., який проходить, зменшується (рис 4).



Звідси можна зробити висновок, що струм через запірний шар проходить тільки в одному напрямку.

Промисловістю випускається велика кількість різноманітних напівпровідникових приладів. Для того щоб відрізнити їх один від одного, ці прилади кодують, використовуючи буквено-цифровий код.

Перший елемент означає напівпровідниковий матеріал (буква або цифра): Г або 1-германій, К або 2-кремній, або 3-сполуки галію; Uабо 4-сполуки індію

Другий елемент (буква) вказує тип напівпровідникових діодів: Д - діоди випрямні та імпульсні Ц- випрямні стовпи та блоки; В- варикапи; И- тунельні діоди; А- надвисокочастотні діоди; С- стабілітрони та стабістори; Г - генератору шуму; Л - випромінюючі оптоелектронні прилади; О - оптопари; Н- діоди тиристори; У-тріодні тиристори.

Третій елемент (цифра) визначає якісні можливості приладу. Кожний тип приладу утворює кілька підкласів: діоди - дев'ять підкласів; випрямні стовпи та блоки - чотири підкласи; варикапи - два підкласи; тунельні діоди - чотири підкласи; надвисокочастотні діоди - вісім підкласів; стабілітрони та стабістори - дев'ять підкласів; генератори шуму-два підкласи; оптопари чотири підкласи; діодні тиристори - два підкласи.

Випромінюючі оптоелектронні прилади поділяються на Джерела інфрачервоного випромінювання та прилади візуального подання інформації; тріодні тиристори - на не запірні, запірні та симетричні.

Четвертий елемент означає порядковий номер розробки (01-99).

П’ятий елемент (буква) встановлює класифікацію приладу, що виготовлений за єдиною технологією як класифікаційна літера використовуються букви російського алфавіту, як додаткові елементи -символи, що складаються із цифр (1...9) і букв.

Приклади позначень напівпровідникових діодів Д. 202А -кремнієвий випрямний діод, струм випрямлення не більше 10А номер розробки 2, група А.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Пермь 2008 | Порядок виконання роботи.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.155 сек.