Изменение температуры окружающей среды приводит к изменению параметров транзистора, и, соответственно, к изменению токов и напряжений в схеме. Приращение тока коллектора определяется выражением
DIК = DIК0 + DВ (Iб + IК0) + В DIб , (1)
где DIК0 – приращение обратного тока коллекторного перехода,
DВ – приращение статического коэффициента усиления транзистора по току,
DIб – приращение тока базы.
При включении в эмиттерную цепь резистора RЭ
, (2)
где Rб – сопротивление параллельно соединенных резисторов R1 и R2 рис. 1.
Подставляя (2) в (1) получим
, (3)
Из этого выражения следует, что
, (4)
Выражение перед прямоугольными скобками называют коэффициентом температурной нестабильности и записывают в форме
, (5)
где 
.
При отсутствии сопротивления в цепи эмиттера (термостабилизация отсутствует) S = B. Термостабилизация считается удовлетворительной при S = 5, хорошей – при S = 3.
В приложении 1 приведены данные зависимости параметров транзисторов от температуры.
