Теория.

Ю.П. Головатый

Расчёт полупроводникового диода

Методические указания по выполнению домашнего задания №1

по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники»

Калуга

2013 г.

УДК 538.9 ББК 22.3

Данные методические указания издаются в соответствии с учебным планом направвления 152200.62 «Наноинженерия»

Указания рассмотрены и одобрены:

Кафедрой «Материаловедение»

Протокол №_________ от _______________

Заведующий кафедрой _____________________ В.Г.Косушкин

Методической комиссией Факультета ЭИУК

Протокол №__________от ________________

Председатель методической комиссии

_________________ М.Ю. Адкин

Методической комиссией Калужского филиала

Протокол №__________от ________________

Председатель методической комиссии

_________________ А.В. Максимов

Рецензент: к.т.н., доцент ________________

Автор: ст. преподаватель _______________Ю.П. Головатый

Аннотация.

Настоящие методические указания описывают методику выполнения домашнего задания по второму модулю «Основы квантовой механики» дисциплины «Специальные главы физики».

© Калужский филиал МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2013 г.

© Головатый Ю.П.

Оглавление

1. Цель работы.

2. Теория.

3. Порядок выполнения работы.

4. Требования к отчету.

5. Контрольные вопросы

6. Литература.

Цель работы.

Цель работы состоит в вычислении параметров p-n – перехода при заданных уровнях легирования полупроводника.

Теория.

Расчёт полупроводникового диода состоит в определении параметров равновесной области пространственного заряда – толщины , диффузионного потенциала , парциальных диффузионных потенциалов , профилей электрического поля и потенциала в ОПЗ, максимального электрического поля , плотности тока насыщения - по заданным уровням легирования и .

Расчёт проводится в приближении полного обеднения по формулам:

,