Вольтамперная характеристика идеализированного диода описывается уравнением:
, (7.3)
где 
называется тепловым током, поскольку он отражает сильную температурную зависимость, или "обратным током насыщения", происхождение которого связано с тем, что при отрицательно напряжении 
обратный ток идеализированного диода равен 
и не зависит от напряжения.
Статическая вольтамперная характеристика идеализированного диода представлена на рис. 7.3.
Одной из важных особенностей характеристики (7.1) является крутая (экспоненциальная) прямая ветвь.
Поэтому большие прямые токи порядка нескольких ампер и выше получаются у полупроводниковых диодов при напряжении не более 1В. В связи с большой крутизной прямой ветви обычно удобнее формулу (3.9а) преобразовать к следующему виду:
(7.4)
Из этой формулы видно, что прямые напряжения у кремниевых диодов значительно больше, чем у германиевых, поскольку тепловой ток у первых на несколько порядков меньше. Различие в прямых напряжениях германиевых и кремниевых диодов составляет обычно 
В. Поэтому вольтамперные характеристики обоих типов диодов, построенные
Рис.7.3 Рис 7.4
в одинаковом абсолютном масштабе по оси токов, имеют разную форму (рис.7.4): кремниевым диодом свойственен кажущийся сдвиг характеристики по оси напряжений на несколько десятых долей вольта.
