Изготовление германиевых выпрямительных диодов начинается с вплавления индия в исходную полупроводниковую пластину германия n-типа. В свою очередь исходная пластина припаивается к стальному кристаллодержателю для маломощных диодов или к медному основанию в мощных выпрямительных диодах.
Вольтамперная характеристика германиевого диода при различных температурах окружающей среды изображена на рис. 1.2,а. С ростом температуры в значительной степени увеличивается обратный ток диода, что обусловлено ростом концентрации неосновных носителей, а величина пробивного напряжения уменьшается. ВАХ германиевого диода близка к характеристике идеального p-n-перехода, но при больших прямых токах из-за влияния сопротивления базы появляется омический участок.
а) б)
Рис. 1.2
Для получения p-n-переходов кремниевых выпрямительных диодов осуществляют вплавление алюминия в кристалл кремния n-типа или же сплава золота с сурьмой в кремний p-типа. Для получения переходов используют также диффузионные методы.
Вольтамперная характеристика выпрямительного кремниевого диода приведена на рис. 1.2,б. Она близка к ВАХ реального p-n-перехода.