Определения. Классификация

I. АКТИВНЫЕ РАДИОЭЛЕМЕНТЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Определения. Классификация

Полупроводниковый диод – это прибор с одним или несколькими электрическими переходами и двумя внешними выводами.

По виду перехода диоды делятся на диоды с электронно-дырочным переходом и металло - полупроводниковые (диоды Шотки). В зависимости от соотношения между шириной обедненного слоя перехода и его периметром диоды подразделяются на точечные, микросплавные и плоскостные.

По технологии изготовления:

а) сплавные; в) планарно-эпитаксиальные;

б) диффузионные; г) меза-диоды.

Эпитаксия – ориентированный рост слоев. У сплавных и планарно-эпитаксиальных диодов распределение примесей равномерное, p-n - переходы резкие, ближе к идеальным. Диффузионные диоды имеют неравномерное распределение примесей и переходы плавные. Форма p-n перехода влияет на его частотные свойства.

По применению диоды классифицируются на низкочастотные (НЧ), высокочастотные (ВЧ), сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды. НЧ диоды обычно являются диодами плоскостной формы. ВЧ диоды имеют точечную форму p-n перехода. Повысить частотные свойства можно переходом металло–полупроводник, так как эти переходы работают на основных зарядах, то у них отсутствует накопление и рассеивание избыточных зарядов. Их инерционность обусловлена барьерной емкостью перехода малой площади. В СВЧ диодах используются точечные контакты Me-полупроводник.

Основные свойства p-n-перехода, используемые в диодах:

1. Односторонняя проводимость.

2. Наличие лавинного и туннельного пробоя.

3. Барьерная емкость p-n-перехода.

4. Зависимость тока от излучения.

5. Излучательная рекомбинация.

По назначению диоды бывают выпрямительные, опорные, варикапы, импульсные, туннельные, обращенные, фотодиоды, светодиоды.

По материалу: из Si - кремния, Ge - германия, GaAs – арсенида галлия.