Вольт-амперные характеристики и параметры тиристора.

В работе исследуется стабилитрон VS, который выбирается в библиотеке компонентов Diodes/CSR/2N25…..где 2N25….. – марка тиристора

3.1 Снять ВАХ тиристора с использованием характериографа IV ANALYZER.

Для этого собрать схему в соответствии с Рис.3а (или открыть файл ВАХ тиристора). Установить диапазон изменения напряжения на тиристоре от -50В до +50В с приращением 100мВ.

3.1.1 Получить и скопировать в отчет ВАХ тиристора.

3.1.2 Определить напряжение отпирания тиристора U_OТ.

3.2. Исследовать работу тиристора. Для этого запустить схему ( Рис3.б).

В этой схеме на анод тиристора VS2 2N2573 подается синусоидальное напряжение от источника V₄. Резистор R₃ ограничивает ток тиристора. На управляющий электрод тиристора от импульсного источника V₃ подаются управляющие импульсы. Параметры источника: время задержки управляющего импульса по отношению к моменту нарастания анодного напряжения t_з, длительность t_и и период импульсов, амплитуда импульса и другие параметры устанавливаются в окне, которое открывается при двойном клике левой кнопкой мыши на источнике. Потенциометр R₂ регулирует величину тока управляющего электрода. Источник напряжения, управляемый током V₁ предназначен для регистрации тока тиристора. Напряжение этого источника, совпадающее с током подается на канал В осциллографа XSC2. Канал А подключен к аноду тиристора.

3.2.1 Получить и скопировать в отчет осциллограммы тока и напряжения на аноде тиристора.

3.2.2 Проанализировать работу прибора, изменяя ток управления.

4. Вольт-амперные характеристики и параметры транзисторов.

В работе исследуется биполярные и полевые транзисторы, типы которых задаются преподавателем. Модели транзисторов находится в базе компонентов в разделе Transistors. Входные характеристики транзисторов аналогичны характеристике полупроводникового диода. Выходные ВАХ транзисторов снимают с использованием характериографа. Подключение транзистора и настройка параметров моделирования осуществляются аналогично пункту 2.2. Для биполярного транзистора источник V_se (ось Х) – напряжение на коллекторе, источник I_b (ось Y)- ток базы, приращение по оси Х – шаг построения, приращение по оси Y – количество кривых на графике. Для обработки полученных графиков при щелчке мышью на семействе кривых в открывшемся окне можно выделить ВАХ маркерами ( треугольниками), выбрать ВАХ по заданному току базы. При движении визирной линии внизу рисунка выводятся координаты точек выделенной ВАХ. Значение тока базы выводится в левом нижнем углу.

4.1 Собрать схему для снятия семейства выходных ВАХ биполярного n-p-n транзистора с использование характериографа (Рис3а) при изменении напряжения на коллекторе от 0 до 10В с шагом 50мВ, тока базы от 1 мА до 10мА. Получить на графике 5 кривых.

Рис.4а Рис.4б Рис.4в

4.2 Получить, скопировать в отчет и отредактировать изображение семейства кривых. Определить выходное динамическое сопротивление транзистора в линейном режиме R_вых и коэффициент передачи тока базы β.

4.3 Повторить исследования согласно пп 2.2 и2.2 для p-n-p транзистора. Тип транзистора выбрать в базе компонентов в разделе Transistors.

4.4 Собрать схему для снятия семейства выходных ВАХ полевого транзистора с использование характериографа (Рис.4.в) при изменении напряжения сток-исток от 0 до 20В, приращение 100мВ, напряжения затвор – исток от -1.0В до 15.0В и 5 фиксированных уровней напряжения затвора.

4.5 Получить, скопировать в отчет и отредактировать изображение семейства кривых. Определить крутизну управляющей стоко-затворной характеристики S.