русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Выполнение отчета


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 517; Нарушение авторских прав


Отчет по лабораторной работе выполняется индивидуально каждым студентом и должен содержать:

1) название и цель работы;

2) схемы проведения измерений с указанием типов измерительных приборов;

3) осциллограммы работы ключевой схемы

4) результаты измерений;

5) выводы по результатам работы.

Вопросы для самоконтроля и подготовки к защите

1. Нарисовать схему ключа на биполярном транзисторе.

2. Нарисовать упрощенные временные диаграммы работы ключа без детализации переходных процессов и с их помощью описать принцип работы ключа.

3. Что такое степень насыщения транзистора?

4. Написать выражения для токов и напряжений во входной и выходной цепях ключа для режимов отсечки и насыщения.

5. Нарисовать временные диаграммы работы ключа с детализацией переходных процессов. На них показать, каким образом измеряются временные параметры ключа

6. По нарисованным временным диаграммам дать описание процессов

- задержки включения транзистора,

- нарастания выходного тока,

- задержки выключения транзистора,

- спада выходного тока.

7. Каким образом можно увеличить степень насыщения и как это отразится на временных параметрах ключа?

8. Как и почему изменятся временные параметры ключа

- при увеличении амплитуды отпирающего входного напряжения,

- при увеличении сопротивления в коллекторной цепи,

- при увеличении напряжения питания

- при увеличении запирающего напряжения во входной цепи?


Приложение 1



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Задание и порядок выполнения работы | Справочные данные полупроводниковых диодов


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 1.11 сек.