русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Задание и порядок выполнения работы


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 821; Нарушение авторских прав


1. Начертить схему для исследования транзистора в режиме переключения (рис. 21, а) с указанием полярности включения приборов и источников питания, указать типы измерительных приборов.

 

Рис. 21. Схема для исследования биполярного транзистора в режиме переключения (а); временные диаграммы работы транзисторного ключа и правила определения параметров выходного импульса (б)

2. Собрать схему измерений (рис. 21, а).

Импульс отрицательной полярности длительностью 10 мкс с выхода генератора импульсов подается на базу транзистора и одновременно на вход канала А осциллографа АСК-1022. Выходной импульс ключа подается на канал В. Импульс синхронизации с генератора подается на вход "Х" осциллографа, работающего в режиме внешней синхронизации. Импульс с выхода генератора на вход исследуемой схемы подается с задержкой, которая подбирается в ходе эксперимента так, чтобы на экране осциллографа достаточно хорошо просматривался передний фронт импульса с выхода исследуемой схемы. Правила измерения времен фронта tф и спада tс импульса иллюстрируются рис. 6, б. Результаты эксперимента заносятся в таблицу 1 (см. ниже).

Для повышения точности измерений следует использовать вспомогательную разметку на экране осциллографа (уровни 0, 10, 90 и 100%). Для этого, перемещая изображение импульса по вертикали, установить вершину выходного импульса на уровень 100 % (переключатель входа должен находиться в положении DC). Установить такую цену деления по вертикали (положение переключателя В/дел.), чтобы начало импульса было ниже уровня 0 %. Медленно вращая регулятор «Var» (соосный с переключателем В/дел.) из крайнего правого положения влево и тем самым плавно меняя масштаб по вертикали, установить начало импульса на уровень 0 %. После этого измерение tф, tр и tс можно выполнять по уровням 10 – 90 % на экране осциллографа. Кроме того, для повышения точности измерений, особенно tф, можно использовать режим дополнительной растяжки осциллограммы по времени (выдвинутая ручка перемещения осциллограммы по горизонтали <POZITION>), в этом режиме цена деления по времени уменьшается в 10 раз.



При проведении последующих измерений следует зарисовать осциллограммы работы транзисторного ключа как минимум для одного из случаев, указанных в таблице 1. В дальнейшем их необходимо включить в отчет по работе, показав на них способ измерения tф, tр и tс.

3. Снять зависимости tф, tр и tс выходного импульса от величины напряжения смещения на базе Есм при напряжении питания Еп=-15 В, амплитуде входного импульса Uи=-6 В. Величину Есм изменять в пределах от 0 до 14 В с шагом 2 В.

4. Снять зависимости tф, tр и tс выходного импульса от величины напряжения коллекторного питания Ек при Есм=12 В, Uи=-6 В. Величину Ек изменять в пределах от 0 до -14 В с шагом 2 В.

5. Снять зависимости tф, tр и tс от величины сопротивления Rк при Еп=-15 В , Есм=12 В, Uи=-6 В.

6. Снять зависимости tф, tр и tс выходного импульса от амплитуды входного импульса Uи при Есм=4 В, Еп=-15 В, Rк=3 кОм. Амплитуду импульсов изменять от -2 до -8 В с шагом 2 В.

Таблица 1

Зависимость tф(Eб), tс(Eб), tр(Eб) при Ек=-15 В, Uи=-6 В, Rк=3 кОм
Еб, В tф, мкс tc, мкс tр, мкс
     
     
     
     
     
     
     
     
Зависимость tфк), tск), tрк) при Еб=15 В, Uи=-6 В, Rк=3 кОм.
к, В tф, мкс tc, мкс tр, мкс
     
     
     
     
     
     
     
Зависимость tф(Rк), tс(Rк), tр(Rк) при Ек=-15 В, Еб=12 В, Uи=-6 В
Rк tф, мкс tc, мкс tр, мкс
620 Ом      
3 кОм      
100 кОм      
4. Зависимость tф(Uи), tс(Uи), tр(Uи) при Ек=-15 В, Еб=4 В, Rк=3 кОм.
-Uи, В tф, мкс tc, мкс tр, мкс
     
     
     
     

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Краткие сведения о работе биполярного транзистора в ключевом режиме | Выполнение отчета


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.177 сек.