Процессы в схеме с общим эмиттером

Если входной ток базы I_б изменить скачком на величину DI_б , то ток коллектора получит приращение DI_к=b_дифDI_б, но не мгновенно, а также по экспоненте с постоянной времени t_b. Это равноценно тому, что коэффициент передачи тока базы b_диф является функцией времени:

b_диф(t)=b₀(1-е^-t/tb),

или в операторной форме

b(p)=b₀/(1+pt_b),

где b₀ - установившееся значение.

Если же колебания базы имеют форму синусоиды, то коэффициент передачи b_диф является комплексной функцией частоты, т.е.

w_b=1/t_b - предельная частота коэффициента передачи тока базы, на которой коэффициент b_диф по модулю уменьшается до уровня 0.7 от b₀.

Видно, что t_b=t_a/(1-a₀)=(b₀+1)t_a; где t_b в (b₀+1) раз больше t_a т.е. предельная частота w_b в (b₀+1) раз ниже, чем частота w_a. Во сколько раз коэффициент b₀ больше коэффициента a₀, во столько же раз полоса рабочих частот в схеме с ОЭ уже, чем в схеме с ОБ. Быстродействие транзистора в схеме с ОЭ значительно хуже, чем в схеме с ОБ в режиме управления входным током.

В ряде случаев частотные свойства транзистора характеризуют граничной частотой w_гр, на которой модуль |b| становится равным 1.

При w>w_b формула для b_диф(w) упрощается:

b_диф(w)»b₀/(w/w_b)=b₀w_b/w.

Отсюда w_гр найдем, приравнивая b=1: w_гр=b₀w_b т.е. w_гр»w_a

В справочниках приводятся не круговые, а циклические частоты:

f_h21б=f_a , f_h21э=f_b , f_гр, f_max.

f_max - максимальная частота генерации, на которой транзистор способен работать в схеме автогенератора, т.е. коэффициент усиления по мощности равен 1.