Без внешних источников – оба перехода закрыты за счет ЕСЛ.
На переходе база – коллектор (ПБК) ЕПБК = ЕСЛ + ЕИСТ БК => ПБК – еще больше закрыт для основных носителей ( Å в К и Θ в Б ).
На переходе эмиттер – база (ПЭБ) ЕПЭБ = ЕСЛ – ЕИСТ ЭБ т.е. ПБК – приоткрыт, часть дырок, энергия которых больше барьера, может пройти через ПЭБ в базу, создавая ток эмиттера IЭ. В базе часть дырок Å рекомбинирует с электронами Θ создавая ток базы IБ, но база тонкая, концентрация Θ мала, поэтому мала вероятность рекомендации и основная часть дырок, через открытый для них ПБК попадает в коллектор, создавая ток коллектора IК
IЭ = IБ + IК IБ << IЭ => IК = IЭ – IБ @ IЭ
Принцип усиления:Если на управляющий переход ПЭБ подать переменный сигнал uвх~, то напряжение на управляющем переходе будет изменяться => будет изменяться высота барьера => будут меняться токи IЭ, IБ и IК @ IЭ. Если к цепь коллектора включить резистор RК, то изменяющийся IК создаст на нем переменное падение напряжения, т.е. переменный выходной сигнал uвых~. При достаточно большом RК, uвых~> uвх~, – т.е. получим усиление по напряжению.
В схеме с ОБ кU > 1; кI < 1.
