1 2 3
1. Из-за диффузии и рекомбинации электронов и дырок на p-n переходе возникает двойной электрический слой, т.е. – потенциальный барьер. Электрическое поле этого слоя ЕСЛ препятствует движению основных носителей через переход, т.е. переход самозакрывается.
2. Если поле внешнего источника ЕИСТ совпадает по направлению с ЕСЛ, источник еще больше закрывает переход – тока нет.
3. Если ЕИСТ направлено навстречу ЕСЛ, то переход приоткрывается и часть носителей, энергия которых больше барьера, проходит через переход, течет ток основных носителей, величина которого зависит от ЕИСТ, т.е. от управляющего напряжения на переходе.
