русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Объект исследования и основные теоретические положения


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 746; Нарушение авторских прав


УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Цель работы

Изучение схемы и работы однокаскадного усилителя напряжения переменного тока, построенного на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером, и измерение характеристик усилителя.

Объект исследования и основные теоретические положения

Усилительный каскад с емкостными связями на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером (ОЭ) широко применяется для усиления сигналов переменного тока как в исполнении на дискретных компонентах, так и в составе интегральных микросхем. На рисунке 1 приведена схема каскада с ОЭ.

 
 

 

 


Рис. 1. Схема усилительного каскада с емкостной связью на биполярном транзисторе с общим эмиттером

 

Резистор Rбв цепи базы обеспечивает ток базы покоя Iб.о, который задает требуемую точку покоя (Iк.о;Uкэ.о) в статическом режиме.

Конденсатор С1 изолирует вход каскада по постоянному току и соединяет его с источником сигнала по переменному току. Конденсатор С2 выполняет такую же функцию по отношению к выходу каскада и нагрузке. Оба конденсатора должны иметь достаточно малое сопротивление на частоте сигнала.

В статическом состоянии (в покое) рабочая точка характеризуется током коллектора покоя Iк.о и напряжением коллектор-эмиттер Uкэ.о. Эти значения связаны уравнением статической линии нагрузки:

Uкэ.о = Eк – Iк.о·Rк. (1)

Для переменного тока (т. е. сигнала) реактивное сопротивление конденсатора С2 мало и поэтому сопротивления нагрузки и коллектора включены параллельно: Rк.н= Rк||Rн. Колебания тока коллектора и напряжения на коллекторе связаны динамической линией нагрузки, которая проходит через точку покоя О под большим углом к оси Uкэ, чем статическая:

Uкэ = Eк.экв – Iк ·Rк.н, (2)

где Eк.экв – напряжение эквивалентного источника:



. (3)

Статическая и динамическая линии нагрузки показаны на рисунке 2.

 

Рис. 2. Графики статической и динамической линий нагрузки

Для малых приращений тока коллектора и напряжения коллектор–эмиттер уравнение динамической линии нагрузки имеет вид

DUкэ = – DIк Rк.н .

При усилении гармонических колебаний амплитуды переменных составляющих напряжения на коллекторе и тока коллектора связаны соотношением

Uкэ.m = Iк.m Rк.н .

Положение точки покоя (Iк.о;Uкэ.о) на статической линии нагрузки удобно определять графо-аналитическим методом, располагая графиками выходных характеристик. Для того, чтобы обеспечить симметричные условия для положительной и отрицательной полуволн колебаний выходного напряжения, точку покоя (Iк.о; Uкэ.о) следует выбирать в середине активного участка динамической линии нагрузки.

Напряжение Uкэ.о можно принять равным четверти напряжения питания:

Uкэ.о = 0,25 Eк. (4)

Из этого условия можно вычислить ток коллектора в статическом режиме Iк.о:

. (5)

 

и ток базы Iб.о:

, (6)

после чего рассчитать сопротивления Rб:

. (7)

Выходную проводимость h22э в (6) принять равной 0,02 мСм, напряжение на эмиттерном переходе Uбэ.о = 0,6 В.

Резистор Rос в цепи эмиттера, как правило, имеет небольшое сопротивление и не влияет на статический режим. Но он оказывает заметное влияние на переменном токе, так как является элементом отрицательной обратной связи.

Коэффициент усиления по напряжению усилительного каскада в области средних частот равен

, (8)

где Rвх.тр – входное сопротивление транзистора.

Без резистора Rос в цепи эмиттера Rвх.тр = h11э, и усиление максимально. Резистор Rос увеличивает входное сопротивление транзистора Rвх.тр:

Rвх.тр.ос = h11э + (h21э + 1)Rос. (9)

Величина называется «петлевым усилением» и характеризует глубину обратной связи. Отрицательная ОС снижает усиление в раз, т. е.

(10)

и во столько же раз увеличивает входное сопротивление:

.

Необходимо выбрать величину Rос, исходя из заданного коэффициента усиления Ku.

В области низких частот (НЧ) усиление каскада уменьшается из-за влияния разделительных конденсаторов C1 и C2:

 

,

где τн – постоянная времени усилителя в области НЧ.

Нижняя граничная частота, на которой усиление уменьшается в раз, равна

. (11)

Величина τн определяется постоянными времени двух цепей, в которые входят указанные выше конденсаторы:

. (12)

Здесь постоянная времени входной цепи равна

tн1 = Rвх.тр.ос·C1, (13)

где Rвх.тр.ос – входное сопротивление каскада с учетом влияния ООС,

постоянная времени выходной цепи равна

tн2 = (Rк + RнC2. (14)

Исходя из заданной нижней частоты усилителя fн, с помощью (11) можно определить требуемую величину постоянной времени τн и найти значения tн1 и tн2. Целесообразно принять постоянные времени обеих цепей одинаковыми: tн1 = tн2 = 2 tн, после чего рассчитать емкости конденсаторов по формулам (13) и (14).

С повышением частоты также происходит уменьшение коэффициента усиления по сравнению с областью средних частот:

, (15)

где tв – постоянная времени усилителя в области высоких частот (ВЧ).

Снижение усиления на ВЧ обусловлено двумя факторами:

1) уменьшением модуля дифференциального коэффициента передачи тока базы βдиф по сравнению с h21э;

2) влиянием выходной емкости транзистора Свых и емкости нагрузки Сн, шунтирующих выходную цепь усилителя.

Поэтому tв определяется и частотными свойствами транзистора (с учетом ООС), и паразитными емкостями.

Верхняя частота усилителя fв, на которой усиление уменьшается в раз по сравнению с областью средних частот, равна

. (16)



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Форматирование текста с помощью макроса. | Расчет и настройка статического режима


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 1.693 сек.