Силовые полупроводниковые приборы

Рис. структура динистора и его схематическое изображение.

Ток через тиристор:

Откуда:

Рис.Деление динистора на две структуры и схем замещения.

Рис. Вольт- амперная характеристика динистора и схема его включения.

Рис. схема включения динистора : размыканием цепи (а), шунтированием прибора (б) , снижением тока анода (в) и подачей обратного напряжения (г).

Рис. Структура тиристора с катодным управлением (а) и его условное схематическое обозначение (б), структура тиристора с анодным управлением (в) и его условное схематическое обозначение(г)

Рис. Вольт- амперная характеристика тиристора.

Рис. Переходные процессы при включении тиристора

Рис. Структура симметричного тиристора , его схематическое изображение и вольт- амперная характеристика симистора.

Рис. Структура фотосимистора СИТАК и его схематическое изображение.

Рис. подключение фотосимистора СИТАК к микропроцессору

Структура из двух транзисторов:

Ток стока полевого транзистора:

Ток IGBT транзистора:

Где α – коэффициент передачи тока эмиттера транзисторов

S – крутизна транзистора,

Uз – напряжение на затворе,

Sэ=S/(1-( α1+α2)) – эквивалентная крутизна биполярного транзистора с изолированным затвором.

Рис. Схема замещения ПТИЗ с вертикальным каналом и его вольт- амперные характеристики.

Рис. схема замещения транзистора типа IGBT и его вольт- амперные характеристики.

Рис. Условное схематическое изображение транзистора БТИЗ и его область безопасной работы.

Сравнительная характеристика СИТ и БСИТ транзисторов.

Рис. Вольт- амперная характеристика СИТ транзистора