Таким образом, диод Шоттки отличается малым падением напряжения при прямом включении.

В то время, как обычные кремниевые диоды имеют прямое падение напряжения около 0,6—0,7 вольт, применение диодов Шоттки позволяет снизить это значение до 0,2—0,4 вольт. Столь малое прямое падение напряжения присуще только диодам Шоттки с максимальным обратным напряжением порядка десятков вольт, выше же падение напряжения становится сравнимым с аналогичным параметром кремниевых диодов, что ограничивает применение диодов Шоттки.

ВАХ диодов Шоттки — строгая экспонента (рис. 1.8).

Отличительные особенности диодов Шоткипо сравнению с полупроводниковыми диодами других типов:

1. Малое прямое напряжение (U_np ~ 0,4 В, что на 0,2 В меньше, чем у обычных диодов).

2. Возможность получать требуемую высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла.

3. Значительная нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях.

4. Очень малая инерционность (частота перезарядки барьерной ёмкости 3...15 ГГц).

5. Низкий уровень ВЧ шумов (в трансформаторные блоки питания аналоговой аппаратуры).

6. Технологическая совместимость с интегральными схемами (шунтируются переходы транзисторов логических элементов).

7. Простота изготовления.

Использование диодов Шоттки:

в качестве СВЧ-диодов различного назначения (детекторные, смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными);

в качестве приёмников излучения, детекторов ядерного излучения, тензодатчиков, модуляторов света;

в выпрямителях тока ВЧ, солнечных батареях и т.д.