Iб = f(Uбэ) при Uкэ = const.
Произвести измерения зависимости тока базы от прямого напряжения база-эмиттер при двух фиксированных значениях напряжения коллектор-эмиттер: Uкэ = 1,0 В; 10 В.
Учитывая нелинейный характер входных характеристик транзистора, их построение удобно производить, задавая значения тока базы и измеряя соответствующие значения напряжения база-эмиттер, однако при построении графиков в качестве независимой величины (аргумента) следует брать входное напряжение. Результаты измерений свести в табл.2.
Таблица 2
| Uкэ, В
| Iб, мА
| 0,01
| 0,02
| 0,05
| 0,1
| 0,2
| 0,4
| 0,6
| 0,8
| 1,0
|
| 1,0
| Uбэ, В
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Построить графики входных ВАХ.
Определить в нескольких точках входной характеристики значения входного дифференциального сопротивления транзистора (параметр h11э) по формуле
при Iб = 0,05 мА; 0,2 мА; 0,4 мА и напряжении Uкэ = 10 В.
