русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Пробой p-n-перехода


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 2085; Нарушение авторских прав


Если увеличивать обратное напряжение, то может наступить режим, когда ток через переход резко возрастает при малом изменении напряжения, то есть наблюдается пробой p–n перехода. Различают электри­ческий и тепловой пробои. Электрический пробой является обратимым, то есть при снижении обратного напряжения свойства p–n перехода восстанавливаются. Тепловой пробой – процесс необратимый, то есть свойства p–n перехода при снижении обратного напряжения уже не восстанавливаются вследствие повреждения структуры диода.

Электрический пробой может быть лавинным илитуннельным, что в значительной степени определяется концентра­цией примеси в базовой области и профилем легирования, от которых, в свою очередь, зависят толщина слоя объемного заряда и электри­ческое поле в области перехода.

Лавинный пробой обычно наблюдается в p–n переходах с относительно большой толщиной обедненного слоя от долей микрометра до нескольких микрометров. Для резких переходов он имеет место при концентрации примеси в базовой области порядка 1014 –1017 см-3. При лавинном пробое, носители заряда под действием сильного электрического поля в области перехода на длине свободного пробега между столкновениями с атомами решетки приобретают энергию, достаточную для ионизации атома. Образую­щиеся при этом электроны и дырки ускоряются полем и снова иони­зируют атомы материала. В результате развивается электронно – дыроч­ная лавина и ток через переход резко увеличивается. Это вертикальный отрезок ВАХ используют еще и в стабилитронах (Участок 2, рис. 2.11). Стабилитроны часто используются в качестве опорных источников напряжения. При обратном включении стабилитрона последовательно с резистором, падение напряжения на стабилитроне остается почти постоянным, равным напряжению электрического пробоя - Uпр. Это напряжение Uпр. почти не изменяется, даже в том случае, если меняется внешнее напряжение, приложенное к цепи. Для этого выбирают рабочую точку на ВАХ в середине участка 2. Для ВАХ, изображенной на рисунке 2.11, ток в рабочей точке будет равен примерно 1 мВ. Такое свойство стабилитрона, часто используют в стабилизированных источниках напряжения. Следует отметить, что почти все электронные устройства, в том числе и СВЧ, требуют стабилизированного питающего напряжения.



 

 

Рис. 2.11. Условное обозначение стабилитрона, и его вольт – амперная харак­теристика

 

 

Пробивное напряжение для резкого перехода увеличивается при уменьшении концентрации примеси в базовой области, поскольку при этом возрастает толщина перехода и умень­шается максимальное значение напряженности электрического поля. Поэтому, каждый тип стабилитрона обладает своим значением Uпр., которое указывается в справочнике. Для лавинного пробоя характерны напряжения в десятки вольт. С повы­шением температуры пробивное напряжение при лавинном пробое увеличивается, поскольку уменьшаются средняя длина свободного пробега и энергия, которую набирают носители заряда между соуда­рениями.

В переходах с малой толщиной обедненной области более вероятно возникновение туннельного пробоя, связанного с прохождением электро­нов сквозь потенциальный барьер из валентной зоны на свободные уровни зоны проводимости. Туннелирование возможно при малой ширине потенциального барьера, причем вероятность процесса воз­растает с ростом напряженности электрического поля. При некоторой критической напряженности поля туннельный ток перехода превышает тепловой. Значения критической напряженности электрического поля составляют примерно 8*105 В/см для Si и около 3*105 В/см для Ge. Туннельный пробой наблюдается в переходах, изготовленных из мате­риалов с большой концентрацией примеси. Для него характерны небольшие пробивные напряжения, обычно Спроб < 15 В. Пробивное напряжение при туннельном пробое уменьшается с ростом температуры.

Туннельный пробой, как и лавинный, является обратимым. Он не приводит к изменению структуры перехода и может быть многократно воспроизведен. Наиболее часто его наблюдают в Si и GaAs, а также в Ge с большой концентрацией примеси.

Тепловой пробой может привести к необратимым изменениям пере­хода и выходу его из строя за счет выделения большого количества теплоты (Участок 3, рис. 2.11)., так как при увеличении напряжения и тока возрастает мощ­ность, выделяющаяся в переходе

P = Uпр. Iобр.

 

Повышение температуры перехода приводит к росту обратного тока и дальнейшему росту температуры и тока.

Электрический пробой при большой рассеиваемой в переходе мощности, также может переходить в тепловой пробой. Особенностью теплового, как и лавинного, пробоя является локализация его в отдель­ных «слабых» местах перехода, содержащих большое количество дефек­тов. Ток этих участков, называемых шнурами или каналами высокой проводимости, может значительно превышать усредненное значение по всей площади перехода.

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Полупроводниковые диоды СВЧ | Т Р И Г Г Е Р Ы


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 1.379 сек.