русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Расчет силовой части тиристорного регулятора


Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 2114; Нарушение авторских прав


 

Расчет проводится на базе конкретного примера в соответствии с методикой, изложенной в [9]. Исходными данными для расчета являются:

– номинальное среднее значение выходного напряжения;

– номинальная мощность нагрузки;

, – диапазон изменения входного напряжения;

– коэффициент пульсации напряжения на нагрузке.

Для рассматриваемого ниже примера полагаем:

, , , , .

В связи с тем, что в приложении 4 приводится программа расчета в системе MathCad, то при записи расчетных формул сохранена форма, аналогичная используемой в этой системе.

Электрическая схема силовой части тиристорного регулятора с дозированной передачей энергии в нагрузку приведена на рис. 5.6.

Рис. 5.6

При использовании унифицированных низкочастотных тиристоров общего назначения максимальная частота коммутаций обычно не превышает . Для высокочастотных и быстродействующих тиристоров частотный диапазон расширяется до 10 кГц. Принимаем .

С учетом принятого значения емкость коммутирующего конденсатора рассчитывается по формуле:

, .

Напряжение на коммутирующем конденсаторе при этом будет равно

, .

Для полученных значений напряжения и емкости выбираем в качестве конденсаторы типа К72-9-200В-2.2мкФ в количестве 17шт. При этом суммарная емкость группы конденсаторов будет равна .

Полагаем, что в качестве ключей будут использованы тиристоры, у которых время восстановления запирающих свойств не превышает .

Принимая коэффициент запаса для минимального времени восстановления , определим значение индуктивности реактора

, .

Для нормальной работы регулятора необходимо обеспечить прерывистый ток в коммутирующем контуре. В режиме прерывистого тока должно выполняться неравенство

Значение правой части равенства, равное , меньше чем , следовательно, условие прерывистого тока в реакторе выполняется. Если оно нарушается, то необходимо изменить значение и провести перерасчет значений Ск и L.



Следовательно, в номинальном режиме для коммутирующей пары тиристоров рабочая частота будет в два раза меньше fк н=500 Гц.

Максимальное значение тока реактора найдем из следующего соотношения

, .

При этом действующее и среднее значения тока реактора при номинальном режиме могут быть с достаточной для практики точностью определены из следующих приближенных соотношений:

– действующее значение

, .

 

– среднее значение тока реактора при номинальном режиме

, .

Максимальное значение напряжения на реакторе

, .

Для выбора полупроводниковых приборов определим максимальные и средние значения токов тиристоров и диода, а также максимальные напряжения, возникающие на них.

Максимальное значение токов тиристоров VS1-VS4 при номинальной нагрузке .

Среднее значение токов тиристоров VS1-VS4 при номинальной нагрузке

, .

Максимальное значение тока диода VD при номинальной нагрузке

, .

Среднее значение тока диода VD при номинальной нагрузке

, .

Максимальное значение напряжения на тиристорах VS1-VS4

, .

Максимальное значение напряжения на диоде VD

, .

С учетом рассчитанных токов и напряжений выбираются по методике, изложенной в разделах 2, полупроводниковые приборы, и определяется их тепловой режим. Конструктивные обмоточные данные реактора рассчитываются по методике, приведенной в разделе 4.1.4.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
С дозированной передачей энергии | Система управления регулятором


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.005 сек.