русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Дифференциальные параметры диода и емкости диода


Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 2517; Нарушение авторских прав


 

Дифференциальные параметры связывают между собой малые изменения вели­чин, определяющих работу диода. Ток в диоде является функцией двух независи­мых переменных — напряжения и и температуры Т, поэтому дифференциал тока, то есть его приращение, имеет две составляющих:

(*)

Частные производные перед дифференциалами независимых переменных и представляют собой дифференциальные параметры диода. Введем для них обо­значения:

1) Дифференциальная крутизна ВАХ (прямая проводимость), мА/В:

2) Дифференциальная температурная чувствительность тока диода, мА/0С:

Используя введенные обозначения, запишем соотношение (*) в следующем виде:

Если принять за независимые переменные ток и температуру Т, то дифференци­ал напряжения можно представить в виде

(**)

В этом случае для дифференциальных параметров вводят обозначения:

1) Дифференциальное сопротивление диода, Ом:

2) Дифференциальная температурная чувствительность напряжения диода, мВ/0С:

.

Используя введенные обозначения, запишем соотношение (**) в следующем виде:

 

 

Переходя от бесконечно малых приращений к конечным, дифференциальные па­раметры можно определить по вольт-амперным характеристикам диода, снятым для двух значений температуры (рис. 3.7).

 

При рассмотрении процессов в р-п-переходе было установлено, что в самом переходе и в областях, прилегающих к переходу, существуют электрические заряды, которые изменяются при изменении подводимого к переходу напря­жения. Такое изменение зарядов воспринимается внешней цепью как электри­ческая емкость.

Барьерная емкость характеризует изменение электрического заряда внут­ри перехода вследствие изменения его ширины при изменении внешнего напря­жения и:

Диффузионная емкость характеризует изменение избыточного заряда, накап­ливаемого в областях, прилегающих к р-п-переходу, при изменении подводимого к переходу напряжения:



 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Выпрямительный режим работы полупроводниковых диодов | Туннельный пробой.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.004 сек.