русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Вольт-амперная характеристика диода


Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 1047; Нарушение авторских прав


В силу особенностей структуры ВАХ диода отличает­ся от ВАХ идеального р-п-перехода. На рис. 3.2 для сравнения представлены характеристики диода и идеального р-п-перехода.

 

В области прямых напряжений вольт-амперная характеристика диода проходит более полого, чем вольт-амперная характеристика р-п-перехода, что объясняется наличием сопротивления базы ,вследствие чего к р-п-переходу прикладывает­ся напряжение , поэтому уравнение вольт-амперной характеристики диода должно быть записано в виде:

Чем меньше концентрация примеси в базе, тем больше сопротивление , тем положе проходит характеристика

Напряжение и, обеспечивающее получение требуемого тока i, зависит от тепло­вого тока i0, который, в свою очередь, зависит от концентрации дырок рп в элект­ронной базе, определяемой соотношением

В кремниевом полупроводнике , а в германиевом , поэто­му тепловой ток кремниевых диодов на шесть порядков меньше теплового тока германиевых диодов.

Следовательно, для получения одинаковых токов к крем­ниевому диоду должно быть приложено более высокое прямое напряжение, чем к германиевому. Этим объясняется то, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики кремниевого диода при одинако­вой площади перехода всегда сдвинута вправо относительно прямой ветви вольт-амперной характеристики германиевого диода.

Обратный ток р-п-перехода теоретически не изменяется при изменении обратного напряжения. В полупроводниковом диоде обратный ток возрастает при увеличении обратного напря­жения, что объясняется тепловой генерацией носителей заряда в р-п-переходе и проводимостью пленки на поверхности кристалла, шунтирующей р-п-переход. Полный обратный ток диода содержит три составляющих:

где — ток генерации, создаваемый носителями заряда, генерируемыми в р-п-переходе;

- ток утечки, обусловленный проводимостью поверхностной пленки, шунти­рующей р-п-переход;



- тепловой ток, создаваемый неосновными носителями заряда, генерируемы­ми в базе.

При увеличении обратного напряжения увеличивается ширина р-п-перехода, поэтому возрастают ток генерации „ и ток утечки , что ведет к увеличению обратного тока.

 

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Устройство полупроводниковых диодов | Выпрямительный режим работы полупроводниковых диодов


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.004 сек.