Сопротивлениями R1 и R2 подбирается постоянное напряжение на базе (затворе), соответствующее прямолинейному участку характеристики транзистора 
, где 
– входное переменное напряжение малой амплитуды в пределах линейного участка, s - крутизна характеристики. Напряжение на коллекторе (стоке) транзистора определяется эквивалентным сопротивлением, равным обратной величине сумм всех проводимостей, соединяющим коллектор с источником питания Е и землей, т. к. для переменного сигнала источник питания эквивалентен земле. Емкость С ставится для отделения нагрузки от постоянного напряжения на коллекторе. 
– паразитная емкость. Эквивалентная схема усилителя приведена справа, имеем:
.
Знак «минус» стоит, т. к. при увеличении тока напряжение на коллекторе уменьшается. Заменяя сопротивления проводимостями 
; 
; 
, получим:
Здесь пренебрежено членом 
, т. к. 
.
; 
, где
; 
.
Минимальная частота определяется разделительной емкостью «С», максимальная частота – паразитной емкостью «С 0».
