Модули могут быть типа SIP/SIPP (Single In Line Pin Package), типа SIMM (Single In Line Memory Module), типа DIMM (Dual In Line Memory Module) и типа RIMM (Rambus InLine Memory Module). Модули SIMM выполняются с 30-ю или 72-мя выводами, однако в настоящее время первые практически не используются. Для установки модулей памяти типа SIMM и DIMM на материнской плате используется печатный или ножевой разъем, а для модулей SIP — штыревой (в настоящее время не применяется). У DIMM-модулей в отличие от SIMM контакты на противоположных сторонах платы электрически не связаны между собой, что дает возможность увеличить количество выводов вдвое (до 168, в более поздних моделях до 184). Модули DIMM могут иметь напряжение питания 5В (сейчас не используется) или 3,3В. Для модулей памяти DDR SDRAM предусмотрен конструктив на 184 контакта с напряжением питания 2,5В и одним ключом. Для памяти DDR2 SDRAM используются модули, насчитывающие 232 контакта с напряжением питания 1,8 В. Учитывая, что поглощаемая мощность пропорциональна тактовой частоте, емкости памяти и квадрату напряжения, при прочих равных условиях снижение напряжения позволило почти вдвое снизить поглощаемую мощность. Модули RIMM разработаны фирмой Rambus для собственной архитектуры памяти. Они имеют 184 контакта и напряжение питания 2,5В. Малогабаритными разновидностями SIMM и DIMM являются модули SO (Small Outline) SIMM и SO DIMM. Обычно они устанавливаются в ноутбуках и некоторых принтерах.