Генераторы–устр-ва,преобр.эл.энергию пост. ист-ка в энергию незатух.эл.колебаний треб.формы,частоты,мощн.
Генерир.прямоуг.имп-в(ГПИ)быв:1)в зав-сти от кол-ва имп:
1.1вибраторы,2.мультивибр 2)1управл (с жестк. возбужд.) нач. раб. после подачи спец. запускающ.имп 2.неуправ-ляемые(с мягким возбуждени-ем)нач.генер-цию имп.после подачи Uп.
Генератор на лог.эл-тах:
при управляющем сигн. на выходе эл-та“и-не” появл.1, кот.ч-з время tздр поступ.на вход”и-не”.Т.о.в исх.сост.”и-не” нах.в 1.Поступление на вход упр.1–команда для начала раб.генератора.
– невыс.стабильность частоты.Стаб-сть м.б.повыш.при исп-нии ген-ров с кварц.резонансом.Можно также исп. спец.ИС мультивибраторов,сод.цепи коррекции.
1. Основные параметры и характеристики интегральных схем.
2. Цифровые и аналоговые ЭВМ. Классификация элементов цифровых ЭВМ.
3. Структура потенциальных элементов ЦЭВМ. Виды пассивных связей.
4. ТТЛ: основные характеристики. Базовый логический элемент.
5. МДП: основные характеристики. Базовый логический элемент.
6. КМДП: основные характеристики. Базовый логический элемент.
7. ЭСЛ: основные характеристики. Базовый логический элемент.
8. И2Л: основные характеристики. Базовый логический элемент.
9. Типы выходов цифровых элементов.
10. Преобразователи уровней.
11. Классификация триггеров. Асинхронные RS-триггеры с прямыми и инверсными входами.
12. Классификация триггеров. Синхронные RS-триггеры со статическим управлением
13. Классификация триггеров. Синхронные RS-триггеры и динамическим управлением.
47. Классификация ОЗУ. Запоминающие элементы динамических ОЗУ.
48. Специальные элементы ЭВМ: элементы задержки,
49. Специальные элементы ЭВМ: формирователи импульсов,
50. Специальные элементы ЭВМ: генераторы.
Логический элемент транзисторно-транзисторной логики ТТЛ
Схема трёхвходового ЛЭ И-НЕ ТТЛ при подаче на входы «1» (3,2 В) и «0» (0,4 В) приведена на рисунке 2.2. Трёхэмиттерный транзистор находится в инверсном включении и реализует операцию И, на транзисторе VТ реализован инвертор. В инверсном включении эмиттеры выполняет роль коллекторов, коллектор – роль эмиттера, а коэффициент усиления тока много меньше единицы. Поэтому ток эмиттера (0,05 мА) много меньше тока база (0,85 мА).
При подаче на входы напряжений величиной 3,2 В потенциалы эмиттеров выше потен-циала базы, поэтому эмиттерный переход закрыт, коллекторный – открыт и ток базы транзистора VТ протекает по цепи: + → R → (Б-Э) → (Б-Э) → корпус. Этот ток удерживает транзистор VТ в открытом состоянии и напряжение на его коллекторе (0,4 В) соответствует «0».
При подаче хотя бы на один вход напряжения величиной 0,4 В потенциал базы становится выше потенциала эмиттера, и поэтому весь базовый ток протекает через эмиттерный переход. Разность напряжений на участке эмиттер-коллектор много-эмиттерного
транзистора становится близкой к нулю, напряжение на базе VТ стано-вится практически равным уровню логического нуля (0,4 В), VТ закрывается и напряжение на его коллекторе увеличивается до уровня лог «1» (3,2 В).
Для повышения нагрузочной способностисхему инвертора усложняют (см. рисунок 2.3.2). Инвертор содержит: промежуточный каскад на транзисторе VТ2 с разделённой нагрузкой, эмиттерный повторитель на транзисторе VТ3, двухтактный выходной каскад на транзисторах VТ4 и VТ5.
При «1» на входах ЛЭ VТ2 открыт и током 3,6 мА открывает VТ5, на выходе ЛЭ формируется «0». При «0» на входе VТ2 закрыт, но при малом сопротивлении R2 (800 Ом) открыт транзистор VТ3, током эмиттера которого открывается VТ4 и на выходе ЛЭ формируется «1». При больших токах базы VТ5 и VТ4 обеспечиваются и большие коллекторные токи, то есть высокая нагрузочная способность.
2)Логические элементы на МОП-транзисторах
На рисунке 2.3.3, а приведена схемы ЛЭ 2И-НЕ на однотипных МОП-транзисто-рах с индуцированным каналом n-типа. Основные транзисторы VТ1 и VТ2 включены последовательно, VТ3 – нагрузка. При х1 = 1 и х2 = 1 оба транзистора открыты, на выходе «0».
Рисунок 2.3.3 – ЛЭ на МОП-транзисторах: а)ЛЭ 2И-НЕ на п-МОП транзисторах;
б) ЛЭ 2ИЛИ-НЕ на КМОП транзисторах; в) ЛЭ 2ИЛИ-НЕ на п-МОП транзисторах
На рисунке 2.3.3, б приведена схема ЛЭ 2ИЛИ-НЕ, выполненного по КМОП технологии, то есть на комплементарных МОП транзисторах или, иначе на транзисторах с взаимно дополняющей структурой, n-МОП и р-МОП. Транзисторы VТ1 и VТ2 – основные, n-типа; транзисторы VТ3 и VТ4 – нагрузочные p-типа. При подаче на вход, например, х1 = 1, VТ2 открывается, VТ4 – закрывается, то есть его сопротивление увеличивается и на выходе формируется «0».
На рисунке 2.3.3, в приведена схема ЛЭ 2ИЛИ-НЕ на n-МОП транзисторах. Основные транзисторы VТ1 и VТ2 включены параллельно. При подаче хотя ба на один вход «1», на выходе устанавливается «0».
Генерир.прямоуг.имп-в(ГПИ)быв:1)в зав-сти от кол-ва имп:
при управляющем сигн. на выходе эл-та“и-не” появл.1, кот.ч-з время tздр поступ.на вход”и-не”.Т.о.в исх.сост.”и-не” нах.в 1.Поступление на вход упр.1–команда для начала раб.генератора.