При подаче напряжения на один из входов(X1..XM) транзисторы открываются и на выходе(N) получается 0. Когда на вход ничего не подается, транзистор закрыт – на выходе высокий уровень напряжения.
Таким образом, при подаче «1» хотя бы на один вход на выходе элемента присутствует «0». Только при наличии «0» одновременно на всех входах на выходе элемента получаем «1».
Параллельное соединение транзисторов с нагрузкой в цепи коллектора позволяют выполнять операцию ИЛИ-НЕ. В данной схеме транзисторы являются инверторами. Они состоят из транзисторов VT1..VT2 c установленным в цепи коллектора резистором Rк.
C – форсирующий конденсатор, нужен для сокращения времени работы транзистора
Когда на базу транзистора идет высокий уровень – конденсатор заряжается
В процессе заряда конденсатора С ток через него снижается. После того как С полностью зарядится, ток в базу транзистора пойдет только через R1.
После окончания процесса перезаряда на конденсаторе С присутствует напряжение. В момент поступления на вход отрицательного перепада потенциал левой обкладки конденсатора снижается.
Отрицательный потенциал правой обкладки, будучи приложенным к базе, форсированно закрывает транзистор. Ток рассасывания заряда из базы транзистора возрастает за счет тока перезаряда конденсатора С.
- Eсм – источник смещения. Из-за больших номиналов резисторов использование источника смещения обязательно.
