Полевой транзистор является активным (т.е. способным усиливать сигнал) полупроводниковым прибором.
Математические модели полевого транзистора.
, 
- объемные сопротивления истока и стока
- источник тока, управляемый напряжением.
На основе анализа физических процессов для области отсечки:
при 
Для линейной области
, 
(1)
где 
- удельная крутизна.
Для области насыщения:
, при 
(2)
Продифференцировав (2) по 
:
S – кутизна.
Отсюда следует, что при 
, 
, что и объясняет название – удельная крутизна. Из (1) и (2) получим:
Рис.4
Упрощенная эквивалентная схема.
Можно использовать, если известно, что транзистор работает в режиме насыщения и если амплитуда и частоты сигнала достаточно малы.
~ – переменная составляющая сигнала,
“-” – при увеличении напряжения между затвором и истоком ток стока уменьшается
В пакете программ Micro-Cap для моделирования полевых транзисторов всех типов используется одна и та же математическая модель (но с различными параметрами).
