В них запоминающий элемент содержит только один транзисторн. (рис.15-5)
Рисунок 4.7 – Элемент динамической ОЗУ
Информация в таком элементе хранится в виде заряда на запоминающем конденсаторе, обкладками которого являются области стока МОП-транзистора и подложки. Запись и считывание ннформаини производятся путем открывания транзистора по затвору и подключения тем самым заноминаюшей емкости к схеме усилителя-регенератора. Последний, по существу является триггерным элементом ,который В зависимости от предварительной подготовки или принимает (считывает) цнформацию из емкоетной запоминающец ячейки, устаиавливаясь при этом в состояние 0 пли 1,или, наоборот, в режиме записи соотвегствующим образом заряжает ячейку, будучи иредварительно установленным в 0 нли 1
Врежиме чтения триггер усилителя — регенератора в иачале специальным управляющим сигналом устанавливается в неустойчивое равновесное состояние, из которого при подключении к нему запоминающей емкости
он переключается в 0 или I. При этом в начале он потребляет часть заряда, а затем при установке в усгойчивое состояние , возвращает его ячейке осуществляя таким образом регенерацию ее состояния. В режиме хранения информации необходимо периодически производить регенерацию для компенсации естественных утечек заряда.максимальный период цикла регенерации для каждой из ячеек обычно составляет 1 — 2 мс.
