Низкочастотные дифференциальные параметры транзистора четырехполюсника

Если глубоко вникнуть в природу электронных процессов в полупроводниковых структурах, то оказывается, что комплексный характер Y-, Z, H-параметров транзисторов обусловлен наличием определенных фазовых искажений, вносимых в сигнал при прохождении через прибор. Такие искажения вызываются различными причинами: конечной скоростью протекания физических процессов в полупроводниках, наличием зарядовых и диффузионных емкостей, паразитными связями, обусловленными конструкцией кристалла и корпуса полупроводникового прибора, и т.п.

Очевидно, что влияние всех этих факторов при снижении частоты переменного сигнала будет убывать, а комплексные параметры будут стремиться к некоторым действительным значениям. Таким образом, все дифференциальные параметры на низких частотах можно считать действительными и соответствующие эквивалентные схемы транзисторов-четырехполюсников будут состоять из элементов с действительными параметрами. Следует понимать, что понятие "низкая частота" — это достаточно относительный термин, абсолютное значение которого зависит в первую очередь от конкретного типа применяемого транзистора и схемы его включения.

Общепринятым является обозначение действительных дифференциальных параметров малыми буквами и т.п[2]. В документации на конкретные приборы наряду с указанием тех или иных действительных параметров также приводятся режимы их измерения (рабочая точка по постоянному току, частота и амплитуда переменной составляющей входного сигнала, схема включения). Для указания схемы включения транзистора, которой соответствуют параметры, в дополнение к цифровому индексу добавляется соответствующая буква:

• "э" или "е" для схемы с ОЭ ( );

• "б" или "b" для схемы с ОБ ( );

• "к" или "с" для схемы с ОК ( );

Например, системе h-параметров транзистора-четырехполюсника действительный коэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи, соответствующий включению биполярного транзистора по схеме с ОБ.