Для автоколебательного режима работы мультивибратора характерно неустойчивое состояние, вследствие чего схема непрерывно генерирует колебания. Для обеспечения устойчивости в одном из плеч запирают усилительный элемент.
В этом случае для возникновения генерации необходим внешний запускающий импульс. Поскольку схема «ждет» такой импульс, рассматриваемый мультивибратор называют ждущим. Его называют также одновибратором (при каждом запуске вырабатывается только один импульс) и заторможенным мультивибратором.
Рисунок 3.35
После опрокидывания во время формирования им пульса схема находится в неустойчивом состоянии, из которого самостоятельно и лавинообразно возвращается в устойчивое (исходное) состояние, а затем выводится из него следующим запускающим импульсом.
Наиболее часто используется ждущий мультивибратор с коллекторно-базовыми связями.
Схему такого мультивибратора (рис. 3.36а)легко получить из схемы автоколебательного мультивибратора (см. рис. 3.34), если в нее ввести источник смещения .
Исходное состояние схемы однозначно: транзистор VT1 заперт источником смещения , aVT2 насыщен. При этом конденсатор С1 имеет возможность заряжаться по цепи: +ЕК— «земля» — эмиттерVT2 — база VT2 — С1 — Rk1—(-ЕК).
Для генерации импульса необходимо вывести схему из устойчивого состояния. С этой целью на базу транзистора VT1 через разделительный конденсатор Ср подают отрицательный запускающий импульс. При двух отпертых транзисторах развивается лавинообразный процесс, приводящий к опрокидыванию схемы: транзистор VT1 отпирается, aVT2 запирается. Теперь конденсатор С1 (через открытый транзистор VT1)оказывается подключенным к базе транзистора VT2 и удерживает его в запертом состоянии (происходит формирование вершины). По мере разрядки (перезарядки) конденсатора С1через цепь: + ЕК— «земля» — отпертый транзистор VT1—С1 — —(-ЕК), потенциал базы транзистора VT2 уменьшается до нуля и он отпирается. С этого момента начинается новый лавинообразный процесс, в результате которого транзистор VT1 запирается, а транзистор VT2 открывается. По окончании зарядки конденсатора С1через резистор схема возвращается в исходное устойчивое состояние.
Рисунок 3.36
Длительность сформированного импульса на коллекторе VT2
В данной схеме транзистор VT1 удерживается в запертом состоянии не напряжением конденсатора С2, а напряжением источника +Поэтому связь коллектора VT2 с базой VT1 можно осуществить через резистор R. Чтобы при такой замене обеспечить эффективную передачу перепадов напряжения с коллектора транзистора VT2 на базу транзистора VT1, резистор Rблокируют конденсатором С небольшой емкости (рис. 3.36, б).