Мультивибратор с корректирующими диодами

Основная схема мультивибратора (см. рис. 3.34) генерирует импульсы, форма которых отличается от прямоугольной: передний фронт отрица­тельного импульса получается пологим. Напомним, что причи­ной этого искажения является зарядка конденсатора С через резистор из-за чего потенциал коллектора постепенно при­ближается к значению -Е_к.

Заметное улучшение формы импульсов обеспечивает схема мультивибратора скорректирующими диодами (рис. 3.34, а). Ток заряда конденсатора C1 (C2)замыкается здесь не через коллек­торный резистор ( ), а через резистор R1 (R2), что обес­печивается диодом VD1 (VD2).

Рисунок 3.34

Пусть к моменту опрокидывания схемы аноду диода VD1 через на­сыщенный транзистор VT1 сообщается нулевой потенциал «зем­ли», а катоду (через резистор R1)— потенциал -Е_к. В ходе оп­рокидывания потенциал коллектора не опускается до уровня -Е_к, поэтому VD1 открыт и через него беспрепятственно переда­ются скачки напряжения с коллектора VT1 на базу VT2. Диод VD2 к моменту опрокидывания приоткрыт, так как коллектор открывающегося транзистора VT2 имеет потенциал и_К2несколько выше -Е_к. В процессе опрокидывания и_К2становится менее отрицательным, так что VD2 не препятствует передаче скачков с коллектора VT2 на базу VT1. После скачкообразного опрокидывания (VT1 запер­ся, VT2 открылся) диод VD1 оказывается запертым, так как к его аноду прикладывается напряжение, близкое к -Е_к, а к катоду — более положительное напряжение где — ток зарядки конденсатора С1 через резистор R1.

С уменьшением зарядного тока , напряжение уменьшает­ся и катод диода VD1 приобретает все более отрицательный потенциал. Однако лишь после того, как конденсатор С1почти полностью зарядится ( ), диод VD1 приоткроется.

Запертый диод VD1 не пропускает ток зарядки конденсатора С1 к резистору R_к1. Благодаря этому напряжение на коллекторе запертого транзистора после опрокидывания схемы устанавлива­ется близким к -Е_кнамного быстрее (рис. 3.34, б), чем в основной схеме.

Чтобы общее сопротивление в цепи коллектора каждого тран­зистора в схеме рис. 3.34, а было таким же, как в схеме рис. 13.1, обычно выбирают

где и — сопротивления коллекторных резисторов в ос­новной схеме (см. рис. 3.34).

Недостатки схемы с корректирующими диодами:

1. Невозможность обеспечить большую скважность формируемых импульсов, так как С1 и С2 должны существенно различаться. При этом когда конденсатор малой ёмкости разрядиться, конденсатор большей ёмкости не успеет зарядиться.

2. Меньшая нагрузочная способность схемы, т.е. большое .