Такая схема применена в ОУ 140УД14. Транзисторы VT1, VT2 – имеют сверхвысокие 
и включены как ДК с эмиттерной связью и ГСТ в цепи эмиттеров, условно обозначенного 
. Их 
являются включённые сОБVT3, VT4. Неизменность потенциалов их баз обеспечивается благодаря противофазности переменных составляющих их базовых токов.
От ГСТ 
питается ГМСН, выполненный на транзисторах VT5 и VT6. Он задаёт между точками аи б U=1,4В. Оно близко к сумме 
( 
). Благодаря этому транзисторы VT1 и VT2 работают при 
. Это не только предотвращает их пробой, но и снижает до 0.
Низкоомные нагрузки транзисторов VT1, VT2, близкие к 
, снижают 
до 
, что снижает входную ёмкость. Усиление по напряжению U обеспечивают транзисторы VT3, VT4. Ёмкость их коллекторных переходов не подключена к базе входов транзисторов VT1, VT2, поэтому не создаёт паразитной ОС.
Для защиты транзисторов VT1, VT2 от пробоя Uвх.дифф. между их базами включается встречно-параллельно БЭ двух дополнительных транзисторов.
