Увеличение стационарнойстепени насыщения (рост амплитуды импульсов на входе) может привести к затягиванию процесса закрывания диода. Чтобы этого не случилось, в схему вводят нелинейную обратную связь с коллектора на базу. Сопротивление Rб разбивается на две части: Rб и r. В исходном состоянии триод закрыт. В таком положении он остается на всем этапе формирования положительного фронта. В момент t=0 на вход системы подается открывающий импульс. При t<2,3t¢ процессы происходят как и в обычном ключе ОЭс ускоряющей емкостью. В момент времени t=2,3t¢ заряд в базе равен максимальному. Потенциалы базы и коллектора насыщенного триода практически одинаковы. Поэтому при t≥2,3t¢ почти весь стационарный входной ток будет ответвляться через диод так что ток базы практически спадает до 0. В дальнейшем в схеме должен установиться стационарный режим, соответствующий нахождению триода на грани активной области и насыщения. На этапе закрывания триода диод заперт и не влияет на работу схемы.
