Построение плат памяти.

В разделе 9.2 были рассмотрены ИМС для построения статических и динамических ЗУ. Возникают вопросы, какие дополнительные ИМС должны быть на плате памяти? Как организуется ее работа?

На рис. 9.7. представлена упрощенная структурная схема памяти небольшой МП системы. Для построения памяти 1кБ применены 2 ИМС по 512х8 разрядных слов каждая. В зависимости от структуры шины конкретной МП системы, примененных схем памяти для построения реальной системы (платы памяти) требуется дополнительные ИМС.

А0-А15 — адресные линии памяти.

А0-А9 — внутренняя шина (внутренняя линия адреса).

D0-D7 — двунаправленная линия, составляющая шину данных.

Чтение ( ) — сигнал для вывода данных из памяти на шину данных МП системы.

Запись ( ) — сигнал для записи данных из МП в память.

Все адресные сигналы подлежат буферированию, что выполнено на ИМС ТТЛ типа малой степени интеграции. Они служат для развязки шин микро ЭВМ и внутренних адресных входов внутри памяти. В небольших схемах памяти буферы могут не использоваться. А0-А8 — адресная шина с буферами непосредственно на ИМС памяти. А9 служит для выбора одной из двух ИМС памяти. Следовательно, адресуемая ячейка находится в одной из двух 512 битовых областей памяти. А9 поступает через схему «ИЛИ» на одну из ИМС памяти, а через вторую схему «ИЛИ» на вторую схему памяти, следовательно, когда выбрана одна из ИМС, доступ ко второй закрыт.

Адреса А10-А15 сравниваются с набором данных адресов, набранного посредством тумблеров S1-S6. Выходной сигнал схемы сравнения содержит информацию о том, имеет ли место обращение к данной памяти. Если адресные сигналы совпадают с адресом полученным набором тумблеров, то на выходе схемы сравнения формируется сигнал логического «0», который разрешает выбор кристалла на данной плате памяти. Если не совпадают сигналы А10-А15 с S1-S6 , то на выходе схемы сравнения формируется сигнал логической «1»,запрещающий обращение к данной плате памяти. Если на линиях S1-S6 все «0», то плата памяти будет реагировать на адреса от 0 до 1 кБ, если S1=1, S2-S6=0 — на адреса 1кБ-2кБ и т.д. Следовательно, наращивание памяти возможно до 64 кБ с помощью тумблеров S1-S6.

Рис. 9.7. Структурная схема памяти небольшой МП системы

Линии D0-D7 связаны с кристаллами с помощью шинного приемопередатчика (формирователя). Эти формирователи ТТЛ типа выполняют 2 функции: обеспечивают ввод (запись) данных и вывод (считывание). При соответствующих сигналах «чтение» и «запись».